GT Advanced Technologies日前推出其新型SiClone100碳化硅（SiC）生產爐。SiClone100采用升華生長技術，能生產出高質量的半導體SiC晶體塊，可最終制成最大直徑為100毫米的芯片。在其初步階段，SiClone100主要針對本身已經擁有熱場、合格的晶體塊生產配方及正準備開始量產的客戶。

GT的總裁兼首席執行官Tom Gutierrez表示，GT新推出的SiClone100爐將解決電力電子行業對更高質量SiC材料的需求，這些材料將用于生產先進的高功率及高頻設備。SiClone100為GT的SiC產品藍圖奠定堅實基礎，根據藍圖預計在未來向客戶提供可生產八英寸SiC芯片的完整生產環境，包括配方、熱場及耗材。

GT利用其在晶體生長技術領域深入的專業知識，為正在尋求“從實驗室向工廠轉化”的客戶提供高度可靠及經驗證的平臺，幫助客戶開始量產SiC晶體塊。SiClone100爐裝備有最先進的控制系統，通過將爐電子與人機接口（HMI）相結合，實現生長過程的自動化。

SiClone100采用底部灌裝設計，從而令熱場灌裝變得簡單。控制系統為用戶帶來更大的靈活性，用戶可根據需要制定過程配方及控制生產參數，例如溫度、剖面、斜度及氣流，從而改善持續運行的控制重復性，最終降低制造成本。