富士通半導體（上海）有限公司日前宣布推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150 V。富士通半導體將于2013年7月起開始提供新品樣片。該產品初始狀態是斷開(Normally-off)，相比于同等耐壓規格的硅功率器件，品質因數(FOM)可降低近一半。基于富士通半導體的GaN功率器件，用戶可以設計出體積更小，效率更高的電源組件，可廣泛的運用于家電、ICT設備和汽車電子等領域。

圖1. MB51T008A

MB51T008A具有許多優點，包括：1)導電阻13 mΩ，總柵極電荷為16 nC，使用相同的擊穿電壓，實現的品質因數(FOM)大約是基于硅的電源芯片產品的一半；2)使用WLCSP封裝，最小的寄生電感和高頻率操作；3) 專有的柵極設計，可實現默認關閉狀態，可進行常關操作。新產品是數據通信設備、工業產品和汽車電源中使用的DC-DC轉換器的高邊開關和底邊開關的理想選擇。此外，由于其支持電源電路中更高的開關頻率，電源產品可實現整體尺寸縮小和效率的提高。富士通半導體計劃于2013年7月起開始提供樣片，并于2014年開始批量生產。

除了提供150 V的耐壓值產品，富士通半導體還開發了耐壓為600 V 和30 V的產品，從而有助于在更寬廣的產品領域提高電源效率。這些GaN功率器件芯片采用富士通研究所自20世紀80年代來牽頭開發的HEMT (高電子遷移率晶體管)技術。富士通半導體在GaN領域擁有大量的專利技術和IP ,可迅速將GaN功率器件產品推向市場。富士通半導體還計劃與客戶在各個行業建立合作伙伴關系，以進一步拓展業務。

主要規格

MB51T008A

漏源擊穿電壓V(BR)DSS	150V
柵極閾值電壓VGS(th)	1.8V
漏源通態電阻RDS(on)	13mΩ
總柵極電荷Qg	16nC
封裝	WLCSP