-優化的射頻硅絕緣層金氧半晶體管組件（SOI）制程大幅降低4G及其它無線高速通信多頻帶無線電芯片的尺寸-

隨著消費者對高速無線寬帶網絡的需求迅速增長，智能手機和平板電腦等設備需要采用更復雜的電路。為滿足這一市場需求，提高移動設備射頻（RF，radio frequency）前端的性能，并縮減電路尺寸，橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供貨商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）發布全新、優化先進制程。

無線設備RF前端電路通常采用獨立的放大器、開關和調諧器。隨著4G移動通信和Wi-Fi（IEEE 802.11ac）等新高速標準開始使用多頻技術提高數據吞吐量，最新的移動設備需要增加前端電路。現有的3G手機可支持5個頻段，而下一代4G LTE標準3GPP 可支持高達40個頻段。傳統的離散組件會大幅增加設備尺寸，而意法半導體的新制程H9SOI_FEM可制造并整合全部前端功能模塊。

這項制程是H9SOI硅絕緣層金氧半晶體管組件制程的進化。意法半導體于2008年成功研發了這一具突破性的H9SOI技術，隨后客戶運用這項技術研發了4億多顆手機和Wi-Fi RF開關。憑借在這一領域的研發經驗，為研發整合前端模塊，意法半導體優化了H9SOI制程，推出了H9SOI_FEM，為天線開關和天線調諧器提供業界最佳的質量因子（Ron x Coff ＝207fs ）。意法半導體同時投資擴大產能，以滿足客戶的最大需求。

從商業角度來看，高速多頻智能手機的暢銷拉動市場對RF前端組件（特別是整合模塊）的需求迅速增長，根據Prismark的分析報告顯示，智能手機的RF前端組件數量大約是入門級2G/3G手機的三倍，目前智能手機年銷量超過10億臺，增長速度約30%。此外，OEM廠商要求芯片廠商提供更小、更薄、能效更高的組件。意法半導體看好離散組件以及整合模塊的市場前景，如運用意法半導體新推出的最先進制程H9SOI_FEM整合功率放大器和開關的RF模塊和整合功率放大器、開關和調諧器的模塊。

意法半導體混合信號制程產品部總經理Flavio Benetti表示，“H9SOI_FEM專用制程讓客戶能夠研發最先進的尺寸，相當于目前前端解決方案的二分之一或更小的前端模塊，此外，我們還開發出一個簡化的供貨流程，可大幅縮短供貨周期，提高供貨靈活性，這對市場上終端用戶至關重要。”

目前意法半導體正與客戶合作使用H9SOI_FEM開發新設計。預計2013年年底投入量產。

技術細節：

H9SOI_FEM是一個閘寬0.13μm的1.2V和2.5V雙閘MOSFET技術。與制造RF開關等離散組件的傳統SOI制程不同，H9SOI_FEM可支持多項技術，如GO1 MOS、GO2 MOS和優化的NLDMOS，這些特性讓H9SOI_FEM可支持單芯片整合RF前端的全部主要功能，包括RF開關、低噪音放大器（Low Noise Amplifier，LNA）、無線多模式、多頻功率放大器（Power Amplifier，PA）、雙訊器（diplexer）、RF耦合器、天線調諧器和RF能源管理功能。

GO1 MOS是高性能LNA首選技術，能夠承受極低的噪音系數（1.4dB @ 5GHz），提供60GHz的閾頻率（Ft），為5GHz設計提供較高的安全系數。

GO2 CMOS和GO2 NMOS 被廣泛用于研發RF開關，讓意法半導體的制程為天線開關和天線調諧器提供業界最好的質量因子（Ron x Coff＝207fs）。

GO2高壓MOS可整合功率放大器和能源管理功能。在飽合低頻帶GSM功率條件下，優化的NLDMOS技術使功率放大器的Ft達到36GHz，開關效率達到60%。關于能源管理，PLDMOS技術的擊穿電壓（breakdown voltage）為12V，可直接連接電池。

必要時在三層或四層鋁和厚銅層上沉積，還可提高整合被動組件的性能。

H9SOI_FEM既適用于重視低成本和高整合度的低階市場，又適用于高階智能手機市場。高階產品通常要求整合多頻段，不僅可支持2G、3G和4G標準，還可支持其它的無線連接標準，如藍牙、Wi-Fi、GPS和用于非接觸式支付的近距離無線通信（NFC，Near Field Communication）