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恩智浦Gen8+ LDMOS RF功率晶體管推動TD-LTE通訊變革

2013-07-01 來源:微波射頻網 字號:

恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達克:NXPI)近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管,作為特別關注TD-LTE的無線基站第八代LDMOS產品線的擴展產品。隨著中國開始鋪設全球最大4G網絡,Gen8+的推出將鞏固恩智浦TD-LTE產品組合(目前最完善的TD-LTE LDMOS產品組合)的地位,并且顯著提升性能、靈活性和經濟性。BLC8G27LS-160AV是即將發布的第一款Gen8+器件,這全球最小也最經濟的解決方案,用于有源天線戶外基站(2.6 GHz)的15 W和20 W功率放大器。該設備可同時支持多達5個TD-LTE載波,并提供覆蓋全波段(2.5至2.7 GHz)的高效率。

Gen8+產品組合的一項突破性功能是采用了空腔塑料(ACP)封裝。相比陶瓷封裝,ACP更加經濟、靈活,這意味著各款新產品將能更快和客戶見面。全新ACP封裝還允許使用改進型無源器件,通過降低功耗并增加增益和效率來提升性能。Gen8+還加入了大量其他封裝選項,包括QFN、OMP和陶瓷封裝。

Gen8+產品組合最初設計用于頻率范圍在2300-2700 MHz之間的基站應用。作為現有恩智浦LDMOS產品系列的擴展,Gen8+增加了各個波段功耗水平的范圍,從5瓦到240瓦不等。Gen8+擁有出色的功率和較小尺寸,這意味著它還能進一步節省成本。

恩智浦基站功率放大器產品市場總監Christophe Cugge表示:“該產品組合針對支持TD-LTE網絡的無線基站、Gen8+的發布以及即將在中國鋪設的全球最大4G網絡進行了優化。我們提供最完善的此類RF功率產品,重點關注于讓客戶能夠以最低成本提供最佳品質的服務。Gen8+ LDMOS技術運用恩智浦在RF功率產品領域的深厚積淀,以顯著的低成本提供前所未有的高性能、低功耗和更高效率,發揮出競爭優勢,我們也計劃近期將其拓展到在所有其它制式基站應用中去。”

上市時間

合格用戶可即刻索取Gen8+ ACP產品的工程樣本。BLC8G27LS-160AV和其他Gen8+ LDMOS晶體管的樣本將于2013年第3季度提供。

關于恩智浦半導體
恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (Nasdaq: NXPI) 以其領先的射頻、模擬、電源管理、接口、安全和數字處理方面的專長,提供高性能混合信號(High Performance Mixed Signal)和標準產品解決方案。這些創新的產品和解決方案可廣泛應用于汽車、智慧識別、無線基礎設施、照明、工業、移動、消費和計算等領域。公司在全球逾25個國家都設有業務執行機構,2011年公司營業額達到42億美元。

主題閱讀: 恩智浦  RF功率晶體管  TD-LTE
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