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美國諾格公司研發(fā)出新的砷化鎵（GaAs）E波段MMIC
6月18日電 據(jù)中國國防科技信息網(wǎng)報道，美國諾格公司研發(fā)出新的砷化鎵（GaAs）E波段單片微波集成電路（MMIC）高功率放大器APH667和APH668，工作頻率分別為81～86GHz和71～76GHz。
諾格公司在2004年成為第一家提供E波段半導體器件產品的公司。諾格宇航系統(tǒng)微電子產品和服務部門經理Frank Kropschot稱，這些新產品是諾格持續(xù)推進GaAs技術發(fā)展的證明。
Frank說“客戶通常將E波段的幾個MMIC產品組合在一起，以取得更高輸出功率。APH667和APH668將顯著減少實現(xiàn)這些目標所需的器件數(shù)目、簡化產品結構和提升性能。”
產品描述如下：
APH667：0.1mm GaAs高電子遷移率晶體管（HEMT）微波單片集成電路（MMIC）功率放大器，工作頻率為81～86GHz，線性增益為17dB，典型飽和輸出功率為25.5dBm（0.35W）。
APH668：0.1mm GaAs HEMT MMIC功率放大器芯片，工作頻率為71～76GHz，線性增益為19dB，典型飽和輸出功率為28dBm（0.63W）。
APH667和APH668將在2013年第三季度實現(xiàn)預量產，在2013年第四季度實現(xiàn)量產。（張倩）
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