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英飛凌推出全新TO無接腳封裝 針對(duì)高達(dá)300A電流應(yīng)用

2013-05-20 來源:微波射頻網(wǎng) 字號(hào):

英飛凌科技推出全新的 TO 無接腳封裝產(chǎn)品,能減少封裝電阻、大幅縮小尺寸,還能改善 EMI 特性。產(chǎn)品包含最新一代的 OptiMOSTM MOSFET,適用于具有高功率和穩(wěn)定性需求的應(yīng)用,像是堆高機(jī)、輕型電動(dòng)車、電子保險(xiǎn)絲 (eFuse)、負(fù)載點(diǎn) (PoL) 和電信系統(tǒng)等。

全新 TO 無接腳封裝的設(shè)計(jì)可耐受高達(dá) 300A 的高電流。封裝電阻較低,因此在所有電壓等級(jí)下都能達(dá)到最低的 RDS(on)。封裝尺寸比 D2PAK 7pin 少 60%,能將設(shè)計(jì)體積減到最小。TO 無鉛封裝的體積大幅減少 30%,讓堆高機(jī)等應(yīng)用所需要的電路板空間更小。高度減少 50%,在機(jī)架或刀鋒服務(wù)器等一些需要小巧體積的應(yīng)用中尤其具備優(yōu)勢(shì)。此外,封裝的寄生電感較低,因此 EMI 特性更佳。

英飛凌低電壓功率轉(zhuǎn)換資深協(xié)理 Richard Kuncic 表示,“隨著 TO 無接腳封裝的推出,英飛凌將成為第一家推出 0.75mΩ 60V MOSFET 的半導(dǎo)體公司。產(chǎn)品可以減少堆高機(jī)應(yīng)用中所需并聯(lián) MOSFET 的數(shù)量,同時(shí)提高功率密度。此種封裝能為我們的客戶帶來重大優(yōu)勢(shì),滿足高功率應(yīng)用的需求,提供最高等級(jí)的效率和可靠性。”

再加上,TO 無接腳封裝的焊接接觸面積增加 50%,因此電流密度得以降低。如此可避免在高電流量和高溫下發(fā)生電遷移,進(jìn)而提升可靠性。與其他封裝不同的是,TO 無接腳封裝采用焊錫的溝槽引腳,因此能夠用肉眼檢查。

此種全新封裝是高功率應(yīng)用的最佳選擇,能滿足應(yīng)用對(duì)高效率、優(yōu)異可靠性、最佳 EMI 特性和最佳散熱特性等的需求。

TO 無接腳封裝目前已開始提供 30V(最高 0.4 mΩ)、60V(最高 0.75 mΩ)、100V(最高 2.0 mΩ)和 150V(最高 5.9 mΩ)等規(guī)格的樣品,預(yù)計(jì)自 2013 年第三季開始量產(chǎn)。

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