英飛凌科技與格羅方德公司 (Globalfoundries) 宣布共同開發并合作生產 40 納米 (nm) 嵌入式閃存 (eFlash) 制程技術。這項合作案將著重于以英飛凌 eFlash 芯片設計為基礎的技術開發，以及采用 40nm 制程的車用微控制器及安全芯片的制造。新一代 40nm eFlash 微控制器芯片將在格羅方德不同的據點生產，初期于新加坡，后續則將轉移到位于德國德勒斯登的廠房。

英飛凌董事會成員 Arunjai Mittal 表示，“采用 40nm 制程結構的新一代嵌入式閃存微控制器，將進一步提升我們在汽車及芯片與安全防護市場的競爭優勢。我們相信格羅方德將以他們優異的制造經驗以及分布于不同地區的據點，滿足英飛凌在質量、架構安全性和企業永續性等方面的嚴格需求。”

格羅方德執行長 Ajit Manocha 表示，“英飛凌選擇格羅方德做為其 40nm 嵌入式閃存技術節點的晶圓代工伙伴，是對我們能由跨區域的多間晶圓廠房支持單一代工廠解決方案 (one-foundry-solution) 獨特能力的肯定。我們致力于提供領先的技術和制造能力，滿足英飛凌的業務所需。我們期盼能與英飛凌建立長遠的合作關系，協助英飛凌在這個變化快速的產業獲致成功。”

這項與格羅方德的合作案符合英飛凌在 65nm 以下的 CMOS 技術采用共同技術研發的策略。安全芯片預計將于 2015 年下半年進行制程及產品驗證，汽車微控制器則預計于 2017 年上半年開始制造。

英飛凌及格羅方德在開發及制造范疇有著長期的合作關系，其中包括 CMOS 低功率手機產品的共同開發及制造。