-精確度從DC至毫米波且采用單模型-

東京--(美國商業(yè)資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO: 6502) 日前宣布開發(fā)精確度從DC（直流）至毫米波(60 GHz)的緊湊型MOS可變電抗器1模擬模型。新模型由東芝和岡山縣立大學(xué)(Okayama Prefectural University)的Nobuyuki Itoh教授共同研制。

東芝與岡山縣立大學(xué)共同開發(fā)出一種可精確至毫米波的緊湊型MOS可變電抗器模型。

（圖片：美國商業(yè)資訊） 

新的緊湊型MOS可變電抗器模型引入原始算法來表達尺度效應(yīng)，并可捕捉到支配60 GHz范圍的寄生效應(yīng)的影響。針對元件大小不同的樣品，使用了1 MHz - 60 GHz的測量參數(shù)進行建模。一般而言，很難通過單模型來表示MOS可變電抗器，但是新開發(fā)的模型卻成功做到了這一點。

新模型能夠準(zhǔn)確捕捉到寄生效應(yīng)，這就為實現(xiàn)RF-CMOS產(chǎn)品的低功耗提供了支持。東芝將利用基礎(chǔ)技術(shù)來開發(fā)此類芯片，而這些芯片是該公司模擬與成像集成電路部門的主要器件。得益于目前已取得的成效，東芝預(yù)計將來可精確地對CMOS毫米波電路進行模擬。

通過自身的65 nm RF-CMOS技術(shù)，東芝已經(jīng)打造出了元件長度從0.26 um至2.0 um不等的樣品，并使用這些樣品對新模型進行了驗證。所有尺寸的元件均取得了DC至67 GHz的精確度。

該模型的驗證工作是在60 GHz電路上完成的。東芝使用這種用于調(diào)頻組件的模型對60 GHz VCO控制電壓上的相位噪聲水平依賴性進行了測量，并與電路模擬進行了比較。結(jié)果顯示，測量精度達8 dB，優(yōu)于傳統(tǒng)模型2。

這些研發(fā)成果在12月4-7日在臺灣舉行的亞太微波會議(Asia-Pacific Microwave Conference)上進行了展示。

1. MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體）可變電抗器是一種平面元件，歷來都使用CMOS技術(shù)制造。通常來說，該元件廣泛用于CMOS VCO（壓控振蕩器）電路的調(diào)頻組件。

2. BSIM（伯克利短溝道絕緣柵場效應(yīng)晶體管模型）是通常用于模擬MOS可變電抗器的傳統(tǒng)模型。該模型由加州大學(xué)伯克利分校開發(fā)。

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