[據全球新聞資訊網站2012年11月1日報道]諾斯羅普•格魯門公司已開發出了一條氮化鎵（GaN）單片微波集成電路（MMIC）生產線，滿足軍事和商業需求。這些器件代表了公司具備了氮化鎵基元件的商業化能力。

諾•格公司正在對3種氮化鎵MMIC產品進行初步工程評估采樣。諾•格公司航空系統微電子產品和服務（MPS）部門總經理弗蘭克科勒斯科特說，這些產品將應用到國防和商業衛星地面通信終端市場和商用無線基礎設施市場。

這3種MMIC產品的性能特點：

（1）APN149 GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）MMIC功率放大器芯片：運行頻率18~23GHz，在1 dB增益壓縮時提供20 dB線性增益，+36 dBm（4W）輸出功率，飽和輸出功率為+38 dBm（6.3 W），功率附加效率（PAE）大于30％。

（2）APN180 GaN HEMT MMIC功率放大器芯片：運行頻率27~31 GHz，在1 dB增益壓縮時提供21dB線性增益，+38 dBm（6.3W）輸出功率，飽和輸出功率為+39 dBm（8 W），中頻功率附加效率30％。對于要求不高的應用，APN180可以運行+20 V漏極電壓，同時產生+37 dBm（5 W）飽和輸出功率。

（3）APN167 GaN HEMT MMIC功率放大器芯片：運行頻率43~46 GHz，在1 dB增益壓縮時提供20dB線性增益，+35.5 dBm（3.5W）輸出功率，飽和輸出功率為+38.5 dBm（7W），中頻功率附加效率19％。

科勒斯科特指出，諾•格公司計劃在未來數月內將首批產品推向市場。這一系列產品將采用是諾•格公司的0.2微米GaN HEMT工藝，根據DARPA射頻應用寬禁帶半導體計劃（WBGS-RF）研發。DARPA在2002年授予諾•格公司首個GaN關鍵技術開發合同。GaN器件也是諾•格團隊最近推出的低成本終端的關鍵組成部分。（工業和信息化部電子科學技術情報研究所陳皓）

（本文來源：中國國防科技信息網）