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三菱電機(jī)株式會(huì)社定于7月31日開始，依次提供5個(gè)品種的SiC功率半導(dǎo)體模塊，以滿足家電產(chǎn)品與工業(yè)設(shè)備對(duì)應(yīng)用SiC材料的新一代SBD※2和MOSFET※3等功率半導(dǎo)體的需要。這些產(chǎn)品有助于使得應(yīng)用逆變器的家電產(chǎn)品和工業(yè)設(shè)備更高效化、小型化、輕量化。
本產(chǎn)品將在“TECHNO-FRONTIER 2012 -Power System Japan 2012-”(7月11日～13日于日本東京Big Sight舉行)上展出。
1、Silicon Carbide：碳化硅
2、Schottky Barrier Diode：肖特基勢(shì)壘二極管
3、Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：MOSFET金屬氧化膜半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
4、DIPIPM：壓注模型雙列直插智能功率模塊
5、DIPPFC：內(nèi)置功率因數(shù)校正電路的壓注模封裝智能功率模塊
6、Power Factor Correction：功率因數(shù)校正
7、IPM L1系列 型號(hào)：PM75CL1A120
8、IGBT模塊 型號(hào)：CM400DY-24NF兩片并聯(lián)
家電用SiC DIPIPM/DIPPFC
工業(yè)用混合SiC-IPM
工業(yè)用全SiC模塊
概要
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用途 |
產(chǎn)品名 |
概要 |
樣品
開始提供日期 |
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家電
產(chǎn)品 |
混合SiC DIPIPM※4 |
600V/15A 6in1 |
2012年7月31日 |
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混合SiC DIPPFC※5 |
600V/20Arms 交錯(cuò)式 |
2012年8月 | |
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全SiC DIPPFC |
600V/20Arms 交錯(cuò)式 |
2012年8月 | |
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工業(yè)
設(shè)備 |
混合SiC-IPM |
1200V/75A 6in1 |
2012年10月 |
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全SiC模塊 |
1200V/800A 2in1 |
2013年1月 |
提供樣品的目的
近幾年，為有效利用能源并降低損耗，從空調(diào)、冰箱等家電產(chǎn)品，到普通的工業(yè)設(shè)備，都在廣泛應(yīng)用逆變技術(shù)。盡管三菱電機(jī)已經(jīng)為客戶大量提供低損耗的逆變器用功率半導(dǎo)體模塊,但是SiC能夠顯著降低損耗，并提升器件的開關(guān)速度，而且使得設(shè)備系統(tǒng)更加高效化和小型化。
此次三菱電機(jī)開發(fā)了采用SiC材料的SBD和MOSFET的功率半導(dǎo)體模塊，并開始提供5個(gè)品種的樣品。其中，3個(gè)品種適用于空調(diào)等家電產(chǎn)品；另2個(gè)品種適用于通用變頻器和伺服等工業(yè)設(shè)備。
特點(diǎn)：
1.用于家電產(chǎn)品的SiC功率半導(dǎo)體模塊
1-1混合SiC DIPIPM
・應(yīng)用SiC-SBD二極管
・與Si器件相比，損耗降低約12%
・與既有“超小型DIPIPM”的引腳排列與外形尺寸兼容
・與既有“超小型DIPIPM”的保護(hù)功能相同
1-2混合SiC DIPPFC
・應(yīng)用SiC-SBD二極管，開關(guān)頻率最高可達(dá)30kHz
・器件的高頻化，有助于電抗器和散熱器等外圍配件的小型化
・內(nèi)置PFC※6及驅(qū)動(dòng)IC，有助于減少安裝面積及簡(jiǎn)化PCB布線，使得系統(tǒng)小型化
・與既有“超小型DIPIPM”外形尺寸兼容
1-3全SiC DIPPFC
・應(yīng)用SiC-MOSFET晶體管和SiC-SBD二極管
・與Si器件相比，損耗降低約45％
・開關(guān)頻率最高可達(dá)50kHz
・器件的高頻化，有助于電抗器和散熱器等外圍配件的小型化
・內(nèi)置PFC，有助于減少安裝面積及簡(jiǎn)化PCB布線，使得系統(tǒng)小型化
・與既有“超小型DIPIPM”外形尺寸兼容
2．用于工業(yè)設(shè)備的SiC功率半導(dǎo)體模塊
2-1混合SiC-IPM
・應(yīng)用SiC-SBD二極管
・與既有產(chǎn)品※7相比，損耗降低約25％，有助于設(shè)備的小型化好和高效化
・與既有產(chǎn)品※7引腳排列與外形尺寸兼容
・與既有產(chǎn)品※7的保護(hù)功能相同
2-2全SiC模塊
・應(yīng)用SiC-MOSFET晶體管和SiC-SBD二極管
・與既有產(chǎn)品※8相比，損耗降低約70％，有助于裝置的高效化
・與既有產(chǎn)品※8相比，封裝大幅度減小，安裝面積減少約60％，有助于裝置的小型化與輕型化
・低電感封裝，充分發(fā)揮SiC性能
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