飛思卡爾（Freescale）推出旗下首款采用氮化鎵（GaN）技術的RF功率放大器AFG25HW355S 。該公司的RF功率GaN產品初步將以蜂巢基礎設備市場為目標，未來可能的應用則包括航空電子、雷達、ISM與軟件無線電等。

 

目前飛思卡爾提供的RF功率產品包括12伏、28伏與50伏的硅晶LDMOS產品，5伏的GaAs HBT，5伏與12伏的GaAs pHEMT解決方案，以及工作頻率可達100 GHz以上的高頻SiGe技術。

 

AFG25HW355S是一款350瓦、單一封裝高性能（HiP）、2:1的非對稱組件，其特色及預定性能目標為：2.3 GHz至2.7 GHz、尖峰功率56 dBm、效益達50%、增益達16 dB、采用NI-780封裝。

 

飛思卡爾指出，在功率放大器里采用GaN技術的好處包括縮小產品尺寸、降低寄生損耗、增加功率密度、高頻率運作等等。潛在的GaN蜂巢應用包括準線性、高效益、高功率脈沖（非線性）應用，寬帶PAs及switch-mode放大器組態等等。

 

飛思卡爾RF部門副總裁兼總經理Ritu Favre表示，自2000年中開發GaN以來，該公司已經建立了兼具成本效益、性能及可靠性的產品組合，而現在正是將采用GaN的產品加入到該公司RF功率放大器解決方案中的最佳時機。

AFG25HW355S即將提供有限樣品給特定客戶，預計2013年第二季量產及大量出貨。

 

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