蒙特利爾，2012年6月18日——高性能射頻組件及復合半導體技術(shù)設計和制造領域的全球領導者 RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq 股市代號：RFMD）宣布，發(fā)布高效率的280W脈沖氮化鎵(GaN) RF匹配功率晶體管RFHA1025，可提供比競爭性硅晶功率技術(shù)更卓越的效能。

RFMD的RFHA1025可搭配日前發(fā)布的380W RF3928B，其為RFMD匹配功率晶體管系列的最高輸出功率S波段組件。RFMD正擴大跨波段的氮化鎵功率放大器晶體管產(chǎn)品組合，以提高其在雷達市場的地位。

RFMD的氮化鎵匹配功率晶體管可延展范圍，減少尺寸和重量，并為新式和現(xiàn)有的雷達結(jié)構(gòu)提高整體耐用性。RFHA1025可作業(yè)于廣泛的頻率范圍(0.96-1.2GHz)，并提供280W的脈沖功率、>14dB 增益和 >55% 高峰值效率。此外，RFHA1025采用內(nèi)部匹配，以簡化和縮小設計者的電路。RFHA1025采用密封、法蘭瓷封裝，利用RFMD先進的散熱片和功耗技術(shù)，提供優(yōu)良的熱穩(wěn)定性和導電性。RFMD的RF393X不匹配功率晶體管(UPT)可以用來作為RFHA1025的驅(qū)動器。

RFMD將于加拿大Montreal Palais des congress舉行的IEEE International Microwave Symposium中展示其GaN功率產(chǎn)品。

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RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq GS股市代號：RFMD）是高性能射頻組件以及復合半導體技術(shù)設計和制造領域的全球領導者。RFMD實現(xiàn)全球移動性，提供加強的連接性，支持蜂窩手持設備、無線基礎設施、無線本地局域網(wǎng) (WLAN)、CATV/寬頻以及航空和國防應用的先進功能。RFMD半導體技術(shù)多樣化產(chǎn)品組合以及RF系統(tǒng)專業(yè)技術(shù)享有業(yè)界知名度，是全球頂尖移動設備、客戶終端設備以及通信設備提供商中的首選供應商。
 
RFMD總部位于北卡羅來納州格林斯博羅，是一家在全球擁有工程、設計、銷售及服務機構(gòu)的、且具ISO 9001、ISO 14001及ISO/TS 16949認證的制造商。RFMD在納斯達克全球精選市場上市交易，交易代碼為RFMD。更多信息，請訪問RFMD網(wǎng)站www.rfmd.com 。