日前，高性能射頻組件以及復合半導體技術設計和制造領域的全球領導者 RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq股市代號：RFMD）宣布擴展其超高效率功率放大器 (PA) 產品系列，新加入六款 4G LTE 功率放大器。該新型功率放大器在 LTE 模式下具有卓越的峰值效率和電流消耗性能，其補充了 RFMD 的適用于 WCDMA 應用的第一代超高效率放大器系列。

　　新增這六款 LTE 功率放大器之后，RFMD的超高效率產品系列現已覆蓋 WCDMA 頻帶 1、2、3、4、5 和 8 以及 LTE 頻帶 4、7、11、13、17、18、20 和 21。這有助于加快 LTE 在移動設備上的全球性覆蓋，同時在數據吞吐性能、電池壽命和熱性能方面可顯著增強移動寬帶消費者的體驗。

　　RFMD 的超高效率功率放大器重新建立了智能手機和以數據為中心的其他高性能連接設備的性能標準。這些功率放大器在 LTE 模式下可提供 42%-44% 的超高峰值效率，遠遠優于當前競爭產品。RFMD 的 LTE 功率放大器在最高功率條件下也可具有無與倫比的線性性能，可實現高達 20MHz 的頻寬和更高的數據傳輸速率。

　　在 3G 和 4G LTE 中，RFMD的超高效率功率放大器利用了公司在 RF 系統方面的專業技術和 RF 功率管理方面的領導地位，在所有功率等級和所有模式和頻段下均具有最佳電流消耗性能。由于主要的蜂窩解決方案均將開始采用先進的功率管理方案，如平均功率跟蹤 (APT) 和包膜跟蹤 (ET)，RFMD在功率管理方面的領導地位預計將在 2012 年會變得愈加重要。

　　RFMD 蜂窩產品組 (CPG) 總裁 Eric Creviston 說：“RFMD客戶正在不斷挑戰頻段數量和形狀系數極限，這對于 RFMD 而言是一個應對日益復雜的、與電池壽命和熱性能相關的 RF 挑戰的絕佳機會。我們期望，隨著我們的超高效率產品系列的不斷擴展，我們在 3G 和 4G LTE 方面能保持強勁的增長勢頭，且市場份額也能大幅增加。”