中國 深圳 — 2012年2月23日 --- 技術創新的射頻解決方案領導廠商TriQuint半導體公司 (納斯達克代碼：TQNT) 今天宣布，推出業內最小針對3G和4G智能手機的雙頻帶功放雙工器（PAD）--- TRITIUM Duo™。該新型 TRITIUM Duo™ 系列在單一緊湊模塊中結合了兩個特定頻帶的功率放大器（PA）和雙工器，有效地替代了多達12個分立器件。

 

TriQuint中國區總經理熊挺表示：“我們已經用超過五億個的單頻帶TRITIUM™模塊服務全球頂級智能手機，現在TRITIUM Duo™系列已經被客戶們認可并采用到下一代智能手機。我們廣泛的技術組合使我們能夠在一個小占位面積中集成兩個常用頻帶。我們不僅為手機設計師們簡化了射頻前端，同時還提高了性能和靈活性。”

TRITIUM Duo系列所有產品的占位面積均為6x4.5 mm，為設計師提供在橫跨多個平臺上支持多頻帶、多模式操作的靈活性。移動設備制造商能夠憑借采用我們產品所帶來的占位面積極大縮小的優勢，在節省出來的更多電路板空間中可添加更多功能和特性，或者將電池做得更大，確保更薄更輕，且包含所有CDMA、3G和4G網絡所需要的性能。
 

TriQuint的TRITIUM Duo系列為移動設備供應商提供了一系列關鍵優勢：
 

1.    最小的尺寸，高度集成
 

   2個功率放大器和2個雙工器集成到了一個模塊，尺寸比單頻帶的PAD還要小

   一個四頻解決方案（2個TRITIUM Duo模塊）尺寸僅約為50mm²，是同等分立解決方案尺寸的一半。

2.    更高的靈活性
 

   系列共同的占位面積可簡化設計、加速整體產品上市時間

可以跨平臺自由匹配流行的頻帶組合
 

3.    更少的元件數量
 

可以用一個PAD替代多達12個分立器件
 

降低物料清單（BOM）成本：提升制造和供應鏈效率
 

4.    高性能
 

為兩個頻帶都作了優化；放大之后不需要轉換，不像可配置的架構。
 

業內最廣泛的技術組合實現重要的集成
 

該新型雙頻帶TRITIUM Duo利用TriQuint專有的CuFlip™技術，以銅凸塊取代絲焊，從而節省了占板空間，而且消除了噪聲輻射線，極大地提高了系統性能。此外，銅凸塊比傳統互連技術的散熱性要更好。該集成的倒裝晶片（Flip Chip） BiHEMT功率放大器裸片，實現了業界領先電流消耗，提供最長的對話時間以及對智能手機應用來說非常關鍵的優異熱效率。
 

該新的TRITIUM Duo也采用晶片級封裝（WLP）技術，可提供密封過濾封裝，以提高性能并縮小尺寸。此外，這些模塊集成了高性能體聲波（BAW）和表面聲波（SAW）雙工器功能。

IIC China于2012年2月23日至2月25日在中國深圳舉行，TriQuint將在此展會期間展出其移動設備平臺解決方案，包括該新的TRITIUM Duo系列。TRITIUM Duo目前已經開始采樣，計劃于6月份進入量產。
 

TRITIUM Duo™ 產品系列
頻帶對組合	Duo 器件型號	服務的地區
頻帶 1 和 4	TQM6M6214	美國、歐洲、非洲和亞洲
頻帶 1 和 8	TQM6M6218	歐洲、非洲和亞洲
頻帶2 和 5	TQM6M6225	北美

    該簡化的雙頻TRITIUM Duo 系列，為TriQuint屢獲獎項的功放雙工器模塊產品，提供了更高水平的集成度。 作為集成無源和有源器件的業內先鋒，TriQuint集成放大器、濾波器和交換器，提供完整、高性能RF前端解決方案，TRITIUM Duo™ 結合了 TriQuint 的 QUANTUM Tx™ 系列發射模塊，為智能手機和其他移動設備提供完整的射頻前端解決方案。
 

關于TriQuint
 

成立于1985年的TriQuint半導體公司（納斯達克代碼：TQNT）是提供世界領先水平的通信、國防和航空航天公司創新射頻解決方案與代工服務的全球領先供應商。世界各地的人們和組織都需要實時、不間斷的通信聯系；TriQuint產品可幫助降低用于提供關鍵語音、數據和視頻通信的互聯移動設備與網絡的成本和提高它們的性能。憑借業內最廣泛的技術系列、公認的研發領先地位以及在大規模制造領域的專業知識，TriQuint生產基于砷化鎵 (GaAs)、氮化鉀 (GaN)、聲表面波 (SAW) 和聲體波 (BAW) 技術的標準及定制產品。該公司在美國擁有多家已通過ISO9001認證的制造工廠，在哥斯達黎加擁有生產中心，在北美地區和德國擁有設計中心。