近日國內領先的移動通信終端芯片解決方案及終端設備提供商創毅正式推出兼容3GPP R9版本的40nm工藝 WarpDrive 5000芯片。該款芯片支持TD-LTE FDD/TDD共模，采用40納米工藝，兼容3GPP LTE 標準 (Release-9)，采用超低功耗設計，支持多種上下行配比及同頻、異頻測量和切換，支持CAT4速率等級，下行高達150Mbps，值得一提的是該款產品是全球第一款支持先進的雙流波束賦形TM8傳輸技術的芯片。

    早在2007 年創毅就啟動了TD-LTE 終端基帶芯片研發項目。2010 年4 月創毅成功推出全球首枚TD-LTE 終端芯片與終端數據卡，并服務于2010 年上海世博會。2011年5月創毅入選由工信部組織的“6+1”城市TD-LTE 規模技術試驗網測試及建設，并在廣州，杭州，廈門，南京，深圳，與多家系統廠商展開測試。同時在GCF認證測試中與羅德，安奈特等國際廠商取得業內領先的技術成果，并在深圳大運會中配合系統廠商成功展開4G業務演示。

    目前創毅視訊已經三次流片成功TD-LTE芯片，并通過中移動研究院及工信部電信研究院的各項測試，成為國內LTE芯片廠商的領跑者。

    隨著商用化進程的加速，TD-LTE得到國際上廣泛支持，將在印度，日本，俄羅斯，沙特等國家順利開展，目前全球已有超過200家運營商明確了LTE商用戰略，今年年底之前，將有73個LTE網絡進入試商用階段，LTE終端種類也已達到100款之多，涵蓋數據卡、平板電腦,智能手機等。