為多標準、超高效多赫蒂功率放大器而設計

中國上海，2011年6月訊--恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. （NASDAQ：NXPI）今天宣布推出無線基站用第八代（Gen8）LDMOS射頻功率晶體管。該產品最大信號帶寬為60MHz，并優化了I/O匹配結構，從而打造出結構緊湊、經濟高效、支持多種標準的寬帶用多赫蒂功率放大器。

恩智浦的第八代LDMOS（橫向擴散金屬氧化物半導體）晶體管即將推出最高支持960MHz應用的樣片。該樣片具備出色的線性能力、極強的耐用性以及突破55%的工作效率，支持多載波GSM功率放大器。恩智浦后續產品將涵蓋1800、1900和2100MHz GSM-WCDMA-LTE，樣片將在2011年內面市。

無線基礎設施供應商目前正面臨著如何快速向市場推出高性價比和高能效基站產品的壓力。這種壓力已從新興市場向成熟市場蔓延，而在農村地區的部署中又存在著蜂窩標準多元化、頻帶和網絡共享要求不統一的問題，這進一步加重了這種壓力。恩智浦第八代LDMOS技術專為應對這些挑戰而設計，不僅可提供多波段和寬帶功率放大器以及多模基站收發信臺（BTS），而且集低功耗、低成本、高效率等眾多優勢于一身。

主要特性：
·恩智浦第八代LDMOS射頻功率晶體管提供更多帶寬、更高功率和電氣效率，而體積更小、成本更低。
·相比前代產品，第八代產品的功率密度和能效分別提升了15%和5%（取決于具體應用）。
·采用體積小、性價比高的SOT502封裝尺寸，提供超過500W（P3dB）的峰值功率，可用作調峰晶體管。
·更寬的視頻帶寬，支持全波段操作。
·恩智浦射頻功率晶體管的LDMOS技術通常采用28V-32V工作電壓，性能高達創紀錄的3.8GHz。

支持引語：
恩智浦半導體基站功率放大器營銷總監Christophe Cugge表示："無線基站技術正不斷發展以滿足帶寬敏感型應用日益增長的需求。恩智浦第八代LDMOS技術成本低、效率高，為基站原始設備制造商（OEM）提供多標準、前瞻性解決方案，使企業實現規格更嚴的量化生產。恩智浦正在開發多款第八代LDMOS產品的參考設計，包括非對稱和3路多赫蒂放大器。"

上市時間：
第八代LDMOS晶體管將于2011年第三季度上市。

關于恩智浦HPRF
恩智浦是高性能射頻領域當之無愧的領軍企業，每年射頻器件出貨量超過40億件。從衛星接收器、蜂窩基站、廣播發射機到工業、科學和醫療（ISM）、航空與國防應用，恩智浦是高性能混合信號IC產品的領頭羊，更是SERDES串口高速轉換器產品公認的領先企業。恩智浦提供高速數據轉換器產品的多種選擇，包括JESD204A標準CGV、CMOS LVCOMS和LVDS DDR接口。這些高速轉換器適用于無線基礎設施、工業、科學、醫療、航空與國防應用。

關于恩智浦半導體
恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (Nasdaq: NXPI) 以其領先的射頻、模擬、電源管理、接口、安全和數字處理方面的專長，提供高性能混合信號（High Performance Mixed Signal）和標準產品解決方案。這些創新的產品和解決方案可廣泛應用于汽車、智能識別、無線基礎設施、照明、工業、移動、消費和計算等領域。公司在全球逾25個國家都設有業務執行機構，2010年公司營業額達到44億美元。