專注于無線連接和移動市場開發創新的下一代射頻解決方案的無晶圓廠半導體公司RFaxis，今天在英特爾移動通信事業部主辦的IWPC下一代移動設備平臺架構會議上發布了一款新的28納米CMOS多頻帶/多模式射頻前端集成電路(RFeIC(TM))。 這款命名為Nano-RFeIC(TM)的深亞微米產品可以采用多種芯片工藝制造，如32納米、40/45納米、55/65納米以及其他商業上可行的亞微米CMOS工藝。

　　首席運營官Hal Hikita評價說：“被高通公司收購的Berkana Wireless公司曾說過，將無線和基帶功能集成在一塊CMOS硅芯片上可以說是集成的最高境界。不幸的是，在摩爾定律推動數字元件設計越來越趨于小尺寸工藝的時候，這給那些將射頻元件和收發器、基帶功能集成在一起的射頻芯片提出了明確的挑戰。顯而易見，射頻芯片采用一種不同的創新技術非常有必要。”

　　RFaxis首席技術官Oleksandr Gorbachov博士繼續評論說：“按Hal Hikita所說，RFaxis為兩個獨立輔助RFeIC(TM)芯片提供了功能全面和可擴展的創新射頻技術，即集成了收發器和基帶功能的射頻前端芯片。特別是，RFaxis技術不需要前置失真電路，避免了產生破壞電壓，實現了真正的線性放大。新的28納米Nano-RFeIC(TM)是為2.4GHz和5.0GHz頻段設計的，支持WLAN和藍牙同時操作。這款Nano-RFeIC(TM)單芯片還集成了能夠為發送操作提供最先進的EVM功率的高效線性功率放大器、提供高接收靈敏度的低噪聲放大器、切換電路(發射/接收、模式和頻段切換等等)、功率偵測、真正的定向隔離器、共生諧波濾波器、阻抗匹配和CMOS邏輯控制電路。

　　RFaxis董事長兼首席執行官Mike Neshat總結說：“我們的硅芯片技術已經成功地證明了它的多用性，RFeIC(TM)可以用于各式各樣的應用，現在我們可以毫不費力地將我們的RFeIC(TM)移植到納米級工藝。選擇28納米CMOS工藝能夠緩解目前的射頻芯片挑戰，迎來新一代超低功耗移動設備，如智能電話、平板電腦、移動互聯網設備(MID)以及服務器端設備，如用戶終端設備(CPE)。在我們加速完成從射頻前端業務向高端業務的戰略轉移過程中，我們掃清了影響射頻和數字同步創新的障礙。因為我們的產品目前已經滿足系統級封裝(SiP)公司的需求，我們的Nano-RFeIC(TM)產品也將滿足這些系統級封裝公司。此外，我們的Nano-RFeIC(TM)產品現在已經完全為系統級芯片(SoC)公司縮小了在射頻上的差距。我們預計將在2011年四季度為我們的戰略合作伙伴提供Nano-RFeIC(TM)產品的樣品。 ”

　　欲了解更多有關射頻前端集成在納米級CMOS技術下的挑戰，以及RFaxis如何開啟前進道路的信息，請參閱RFaxis的最新白皮書："Challenges and Path Forward for RF Front-end Integration in Nano-Scale CMOS for Wireless Communications," at www.rfaxis.com/downloads

　　關于RFaxis公司

　　RFaxis公司位于加利福尼亞州歐文，是一家專業從事射頻半導體和嵌入式天線解決方案開發設計的公司。公司面向規模達數十億美元的無線局域網、802.11n/MIMO、ZigBee、WiMAX、藍牙、無線視頻和手機市場，憑借其專利技術引領下一代無線解決方案。通過將CMOS技術同自己的創新方法和電路技術相結合，RFaxis開發出世界上第一個射頻前端芯片(RFeIC(TM))。想了解更多信息請訪問：www.rfaxis.com。