恩智浦NextPower系列25V和30V高性能N溝道邏輯電平MOSFET產(chǎn)品再添15款新成員

中國上海，2011年5月27日 -- 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 今日宣布，其采用LFPAK封裝的NextPower系列25V和30V MOSFET將有15款新產(chǎn)品開始供貨。這些恩智浦功率MOSFET家族的最新成員在六個關(guān)鍵參數(shù)方面找到了最佳平衡點，并且具有行業(yè)最低的RDS (on) （25V和30V均為亞1 mΩ級），是高性能、高可靠性開關(guān)應(yīng)用的理想之選。傳統(tǒng)方法主要著眼于降低RDS (on) 和Qg，而恩智浦NextPower則采用超結(jié)技術(shù)來優(yōu)化低RDS (on)、低Qoss、低Qg(tot) 與Qgd之間的平衡，從而實現(xiàn)強(qiáng)大的開關(guān)性能，減少漏極輸出與源極引腳之間的損耗，同時提供卓越的SOA性能。此外，恩智浦LFPAK作為最堅固的Power-SO8封裝，尺寸緊湊，面積僅為5mm x 6mm，可在惡劣環(huán)境下提供出色的功率開關(guān)功能。

事實/要點：
恩智浦NextPower系列25V和30V MOSFET在以下六個參數(shù)方面性能表現(xiàn)優(yōu)異：
o 低RDS (on) -- 擁有行業(yè)最低RDS(on)的Power-SO8封裝產(chǎn)品 -- 在SYNC FET或功率OR-ing應(yīng)用下具有I2R損耗低、性能出色的特點o 低Qoss，有利于減少漏極與源引腳之間的損耗，當(dāng)輸出引腳上出現(xiàn)電壓變化時，還可減少輸出電容 (Coss) 中存儲的損耗能量o 低Miller電荷 (Qgd)，有利于減少開關(guān)損耗和高頻開關(guān)次數(shù)o SOA性能可以極好地承受過載和故障條件o 低柵極電荷 (Qg) 可以減少柵極驅(qū)動電路中的損耗o 出色的額定結(jié)點溫度Tj(max)，堅固型Power-SO8 LFPAK封裝則為條件惡劣且對可靠性要求較高的環(huán)境提供了保障主要應(yīng)用領(lǐng)域包括同步降壓穩(wěn)壓器、DC-DC轉(zhuǎn)換、穩(wěn)壓器模塊和功率OR-ing

積極評價：
恩智浦半導(dǎo)體功率MOSFET部營銷經(jīng)理Charles Limonard表示："在25V和30V條件下實現(xiàn)行業(yè)最低的RDS (on)，這只是其突出表現(xiàn)的一部分。最新NextPower器件的真正突破在于，我們還可以控制MOSFET行為的各個方面--超越導(dǎo)通電阻和柵極電荷--為開關(guān)應(yīng)用帶來高性能、高可靠性和最大功效。"

鏈接：
采用LFPAK封裝的NextPower 25V和30V MOSFET
 
型號：
NextPower 25V MOSFET：PSMN0R9-25YLC、PSMN1R1-25YLC、PSMN1R2-25YLC、PSMN1R7-25YLC、PSMN1R9-25YLC、PSMN2R2-25YLC、PSMN2R9-25YLC、PSMN3R2-25YLC、PSMN3R7-25YLC、PSMN4R0-25YLCNextPower 30V MOSFET：PSMN1R0-30YLC、PSMN1R2-30YLC、PSMN1R5-30YLC、PSMN2R2-30YLC、PSMN2R6-30YLC、PSMN3R2-30YLC、PSMN3R7-30YLC、PSMN4R1-30YLC、PSMN4R5-30YLC

關(guān)于恩智浦半導(dǎo)體
恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (Nasdaq: NXPI) 以其領(lǐng)先的射頻、模擬、電源管理、接口、安全和數(shù)字處理方面的專長，提供高性能混合信號（High Performance Mixed Signal）和標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品解決方案。這些創(chuàng)新的產(chǎn)品和解決方案可廣泛應(yīng)用于汽車、智能識別、無線基礎(chǔ)設(shè)施、照明、工業(yè)、移動、消費和計算等領(lǐng)域。公司在全球逾25個國家都設(shè)有業(yè)務(wù)執(zhí)行機(jī)構(gòu)，2010年公司營業(yè)額達(dá)到44億美元。