高性能射頻組件以及復合半導體技術設計和制造領域的全球領導者 RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq 股市代號： RFMD）日前宣布，其基于氮化鎵的新型混合功率倍增放大器模塊 RFPD2650 已開始供貨，該產品具有業界最低的失真率，并可靈活優化供電電流或能源消耗。混合功率倍增放大器模塊 RFPD2650 專用于有線電視基礎設施應用，包括混合光纖同軸網絡 (HFC) 光節點。
功率倍增器用于 HFC 網絡可擴大從其頭端傳送到用戶的信號傳輸范圍。為降低信號傳送到網絡末端的傳輸成本，多系統運營商 (MSOs) 傾向于盡量減少放大器的數量。多系統運營商還不斷尋求降低與 HFC 網絡相關的運營成本，尤其是功耗和可靠性方面。與 RFMD 基于氮化鎵的整個放大器產品系列一樣，RFPD2650 功率倍增器在設計時同時考慮了客戶關注的這兩個問題。
RFPD2650 在 45-1003MHz 的整個頻率范圍內，可提供 21dB 的最小增益。它可為 HFC 網絡減少高達 20% 的功率或能源消耗，絲毫不影響其性能，或者換句話說，在相同功耗的情況下，它能改善失真度表現（將失真度改善3dB）。憑借其獨特的性能組合，RFPD2650 能讓 MSO 系統設計師選擇業界領先的性能或最佳的節能（“環保”）表現，同時確保基礎設施 OEM 所期望的能方便使用采用行業標準 SOT115J 封裝的放大器模塊。
RFPD2650 應用氮化鎵 HEMT 及砷化鎵 pHEMT 技術，可提供業界最佳的失真性能及更寬的傳輸范圍。最大電流為 450mA，對于要求較低失真性能的應用，可將電流消耗大幅削減至 370mA 以下。當編程設置至與競爭對手的器件的失真水平相當時，RFMD 的 RFPD2650 可節省約 2 瓦特的功耗。
目前，可提供RFPD2650樣品或量產批量，訂單額以 5000 個為批量的單價為 26.50 美元。有興趣的人士請點擊 http://www.rfmd.com/CS/Documents/RFPD2650DS.pdf，了解更多關于 RFPD2650 的信息。
關于 RFMD
RF Micro Devices（NASDAQ GS 代碼：RFMD）堪稱在高性能半導體元件的設計與制造方面的全球領先廠商之一。 RFMD 的產品可實現全球移動性，提供更高的連接能力，以及支持蜂窩手機、無線基礎設備、無線局域網 (WLAN)、有線電視網絡、航空及國防市場中的高級功能。 RFMD 因其多樣化的半導體技術以及RF 系統專業技能而得到業界的認可，并且是受全球領先移動終端及通訊設備制造商所青睞的供應商。
RFMD 總部位于北卡羅來納、格林斯博羅，是一家在全球擁有工程、設計、銷售及服務機構的、且具 ISO 9001 及 ISO 14001 認證的制造商。RFMD 在納斯達克全球精選市場上市交易，交易代碼為 RFMD。有關更多信息，請訪問 RFMD 網站：www.rfmd.com。
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