德州儀器(TI)宣布推出可在25安培電流下實現超過90%高轉換效率的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)，晶片體積為同類產品的一半。新產品CSD86350Q5D Power Block為將兩個非對稱的NexFET功率MOSFET堆疊整合，可為服務器、桌上型與筆記型電腦、基站、交換器、路由器及高電流多重非標準負載點(POL)轉換器等低電壓同步降壓半橋應用實現高性能。
 
新產品除提高效率與功率密度外，還能以1.5MHz開關頻率生成40安培的電流，有效降低尺寸與成本。另外，最佳化接腳布局(Pinout)與接地導線架(Grounded Lead Frame)可縮短開發時間，改善電路性能，并以低成本實現與氮化鎵(GaN)等其他技術相當的性能。

新產品主要特性與優勢為采用5毫米×6毫米小型無引線(SON)封裝，其尺寸僅為由兩個5毫米×6毫米四方扁平無引線(QFN)封裝MOSFET裝置的一半；還可在25安培的負載電流下，達到超過90%的電源效率，且與業界相同規格產品相比，效率高出2%，功率損耗則降低20%；另外，毋須增加功率損耗便可提高兩倍頻率及底部采用裸露接地焊墊的SON封裝可簡化布局。

NexFET技術可為高功率計算、網絡、服務器系統及供電降低能耗。其高頻率、高效率的類比功率特性，可為系統設計人員實現直流對直流(DC-DC)的功率轉換。