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TriQuint 發布最新 GaN 器件

2010-05-26 來源:微波射頻網 字號:

作為氮化鎵(GaN)研發領導者,TriQuint公司為最新推出的封裝型GaN器件而感到驕傲。T1G6000528-Q3提供了高達7W的輸出功率和在寬帶寬范圍內的高效率(大于50%)。創新的T1G6000528-Q3是窄帶和寬帶應用的理想選擇,在20 MHz 到 6 GHz范圍內有卓越的性能表現。該產品可應用于多個領域,如專業無線電系統、干擾器、雷達解決方案、移動基礎設施、WiMAX和寬帶放大器。

關于TriQuint 半導體
TriQuint 半導體公司采用砷化鎵(GaAs)、氮化鎵 (GaN)、聲表面波 (SAW) 和體聲波 (BAW)技術設計、開發和生產先進的高性能射頻解決方案,滿足全球客戶需求。我們是市場領導者,專門為移動設備,3G和4G蜂窩基站,WLAN, WiMAX,GPS, 國防與航空等領域的客戶提供各種服務。

TriQuint公司是業內最為靈活的 GaAs 代工業務供應商,提供完整的支持服務。TriQuint解決方案基于行業最豐富的專有技術組合,可快速取得設計回報、提高產品性能、減少原料使用數量。我們是高性能解決方案獲獎供應商,擁有為客戶提供設計、銷售和生產設施服務的全球網絡。

主題閱讀: TriQuint  氮化鎵  GaN器件
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