恩智浦半導體（NXP Semiconductors）近日宣布推出一系列采用最新SiGe（硅鍺）工藝技術開發、針對高頻無線電應用的新產品，旨在滿足行業對更強大、高性價比和高集成度硅基技術日益增長的需求。恩智浦將在2010年底前推出超過50種采用SiGe:C技術的產品，其QUBiC4 SiGe:C工藝技術可提供高功率增益和優良的動態范圍，專為滿足現實生活中無線、寬帶通信、網絡和多媒體市場領域的高頻應用需要而設計。2010年5月25日至27日在加利福尼亞州阿納海姆舉行的“2010年IEEE MTT-S國際微波年會”上，恩智浦將會展示其高性能射頻解決方案（恩智浦展位號：3324）。

      恩智浦目前已有10多種硅鍺產品上市，采用其QUBIC4技術開發并售出的射頻產品已超過2500萬件。此銷售業績彰顯了恩智浦QUBIC4工藝的技術成熟度以及行業對SiGe:C工藝實現GaAs技術性能的認可度。 

      恩智浦半導體射頻小信號業務總經理Ronald van Cleef先生表示：“作為射頻技術和器件設計領域的全球領導者之一，恩智浦致力于SiGe:C技術的產品開發，適應射頻、微波市場的飛速發展。我們將借助采用硅基工藝，努力為市場提供具有砷化鎵(GaAs)技術的性能、高性價比、高集成度的高頻解決方案。”

      恩智浦創新的高性能SiGe:C QUBiC4工藝可以讓無線設備制造商增加更多設備功能，同時更節省空間、更節約成本、性能更可靠以及制造更方便。QUBiC4技術加快了從GaAs技術向硅芯片技術的轉移速度，實現了高技術含量,低噪聲特性和IP可用性。恩智浦提供了三種不同的QUBiC4工藝：QUBiC4+，針對小于5GHz應用的硅基工藝，如中功率放大器；QUBiC4X，一種0.25µm SiGe:C 工藝，大約6年前推出，常用于高達30GHz和極低噪聲應用，如GPS；以及最新推出的0.25µm QUBiC4Xi SiGe:C工藝，特征頻率（Ft）超過200GHz，特別適合30GHz以上以及要求極低噪聲系數的應用，例如VSAT和雷達應用。

      恩智浦的QUBiC4 SiGe:C技術擁有量產所需的完善IP和先進的內部制造工藝，可以提高整體射頻性能，降低器件成本，同時提供比砷化鎵(GaAs) 技術更高和更靈活的性能。憑借超過45年在射頻建模、設計和封裝方面的豐富經驗，恩智浦的QUBiC4技術將砷化鎵(GaAs)技術的高性能與硅基工藝的可靠度完善溶合在一起。隨著高速數字數據傳輸和無線通信技術的持續發展，恩智浦的QUBiC4技術將推動傳統的砷化鎵(GaAs)技術解決方案不斷向前發展，實現更低成本、更高集成度和更多功能，同時滿足低功耗需求。

      基于QUBiC4技術的產品涵蓋移動平臺、個人導航設備、有源相控陣雷達、衛星DBS/-VSAT、電子計量、軟件無線電(SDR)技術、基站、點對點無線鏈路以及無線局域網WLAN等廣闊領域，這些都是高頻和高集成度至關重要的領域。終端用戶的受益之處則在于手機變得更小巧,更輕便而功能卻不斷增加。

上市時間

      2010年底之前將有50多種采用 SiGe:C 工藝的恩智浦產品面市，其中十多種產品已經上市，包括GPS低噪聲放大器，如BGU7005；中等功率放大器，如BGA7124 ；以及本振(LO)發生器，如TFF1003HN。

      其他40種新產品將在5月和年內陸續發布，包括全新的第6代和第7代寬帶晶體管、低噪聲放大器、中等功率放大器、可變增益放大器和本振(LO)發生器等。