這種WEDGE成套產品結合了TriQuint公司的高度優化的WCDMA和GSM/EDGE產品。TriQuint半導體的中國區總經理熊挺說:“我們正在建立在EDGE PAM的市場領導地位及積累我們為智能手機,數據卡和其它移動互聯網設備(MID)等增長最快的市場提供產品的經驗。每個無線設備越來越多頻帶驅動分立WCDMA放大器市場,也代表了市場份額擴張的重要機會。TriQuint公司一直致力于優化我們的技術,為業界領先的3G芯片組供應商提供一個高度競爭,完整的射頻前端解決方案。先期主要用戶很滿意這款產品的性能和集成的路線圖。我們預計該產品在2010年下半年將有強勁的市場采用率。”
最新3x3mm TRITON分立放大器模塊系列涵蓋所有主要的3GPP WCDMA頻段,并且具有多模式操作的能力。TRITON產品提供了極低的耗電量和優異的散熱性能, 這對于目前功能豐富的智能手機和無線設備是至關重要的。TriQuint公司利用其專利制造工藝-銅凸倒裝晶片(CuFlip™)和TQBiHEMT-來設計性能,尺寸,效率均優的TRITON系列產品。CuFlip工藝具有卓越的射頻性能與設計靈活性,同時加快制造和裝配;TQBiHEMT工藝使兩個砷化鎵(GaAs)進程集成到一個單芯片,減少元件數并節省電路板空間。這些流程可以讓TriQuint公司使用單個芯片的模塊來提供一個集成特性, 現今市場所有其他的解決方案需要多個芯片和/或復雜的裝配過程,TriQuint的解決方案有著無法比擬的優勢。
TQM7M5013是一種5x5mm四波段HADRON II功放模塊,配合TRITON模塊使用可提供WEDGE中的GSM/EDGE解決方案。其采用的創新架構有助于提高能效,延長用戶通話時間。TQM7M5013為未來集成/多模放大器奠定了基礎。與最近發布的3G高通芯片組配合使用, 高度通用的TQM7M5013已被配置于2010年中將推出的十幾種平臺。TQM7M5013是基于前一代HADRON產品TQM7M5012的成功基礎上開發的,TQM7M5012占全球EDGE-Polar放大器市場50%1的份額。
WCMDA是增長最快的通信標準。根據高通季度區域性CDMA設備出貨量預估²,2008-2009年WCDMA的增長率為17%,根據2010年的年中指導,2009至2010年預計增長28%。
前瞻性聲明
根據《1995年美國私人證券訴訟改革法案》(Private Securities Litigation Reform Act of 1995)的“安全港”聲明,TriQuint Semiconductor, Inc. (Nasdaq: TQNT)的這份新聞稿中包括前瞻性陳述。請讀者注意前瞻性陳述中蘊含的風險與不確定性。讀者應認真閱讀本新聞稿中的警示性陳述,這些陳述適用于所有相關內容。凡是帶有 '優化',' 優越','最小的','理想','世界級','方便','深刻印象'或類似術語的陳述均被視為包含不確定性的前瞻性陳述。許多因素都會對TriQuint的經營績效產生影響,導致公司的未來實際經營結果與本新聞稿或者TriQuint直接做出的、或第三方代替TriQuint做出的任何其他前瞻性陳述中闡述的結果存在較大出入,包括但不限于:客戶對我們的產品和技術的接納程度以及需求的不可預測性和多變性;我們生產廠的能力;供應商滿足我們需求的能力;我們的生產廠和供應商生產足夠的產品來維護可盈利性的能力;以及TriQuint在最新提交給“美國證券交易委員會”的10-Q報告中所提出的其他“風險因素”。這和其他報告,可在美國證券交易委員會的網站,www.sec.gov獲得。本新聞稿的讀者應該明白,這些和其他風險可能導致實際結果與預期大不相同表示/在前瞻性陳述中所暗示。
TriQuint — 不斷前行的25年
TriQuint公司成立于1985年,25年來,通過向全球主要通信公司提供高性能的射頻模塊、元件和晶圓代工服務,達到“連接數碼世界,貫通全球網絡”的理念。TriQuint公司不僅為全球五大移動手機設備制造商中提供產品,同時也是全球主要國防、航天設備承包商的砷化鎵(GaAs)器件領先供應商。TriQuint公司利用先進的工藝,采用砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)、聲表面波(SAW)、聲體波(BAW)技術等,制造標準和定制產品,為包括無線電話、筆記本電腦、GPS/PND、基站、寬頻通信和國防等應用領域提供解決方案。TriQuint還是一家在多年DARPA方案中開發先進GaN放大器的領先的研究公司。根據 Strategy Analytics公司報告**,TriQuint公司是全球第三大砷化鎵設備供應商和全球最大的商用砷化鎵晶圓代工供應商。TriQuint在俄勒岡、得克薩斯和佛羅里達州均設有經ISO9001認證的工廠,并在哥斯達黎加設有工廠。設計中心則設于北美和德國。