微波射頻網消息：近日，新一代寬帶無線移動通信網重大專項調研組領導和專家蒞臨我司實地調研08年立項課題進展情況。公司董事長賀湘華、總經理王小海向調研組領導、專家一行作了詳細匯報。
      在會上，公司董事長賀湘華向調研組領導、專家一行介紹了公司的總體情況及為08年立項課題配備資源的情況。公司總經理王小海則從技術的角度詳細匯報08年立項課題進展情況?？偨浝硗跣『Ｕf：“在TD-SCDMA HSUPA高性能商用終端射頻芯片的研發上，廣晟微電子配備充足的技術人員（20多名），其中以博士和碩士為主,核心骨干具備20年以上RFIC設計經驗，形成了完整的系統、射頻、模擬、數字和版圖等IC設計團隊。廣晟微電子TD-SCDMA HSUPA高性能商用終端射頻芯片預研工作啟動于2007年年底。2008年7月完成設計并進行首次 MPW投片。2009年3月開始向客戶提供評估板。2009年7月完成芯片定型設計；2009年Q4進入小批量產投產。2010年Q1可批量供貨。目前，芯片已滿足課題相關技術指標，產業化工作正在緊鑼密鼓開展。2010年是‘十一五’計劃的截止年度，廣晟微電子將繼續發揮自主創新優勢和科技進步優勢，進一步增強企業的自主創新實力，為振興民族通信事業做出新的貢獻。”賓主雙方還就共同關心的問題進行了探討和交流。
      會后，在公司董事長賀湘華、總經理王小海的陪同下，專項調研組領導、專家一行在公司測試室現場測試課題芯片各項射頻指標。專項調研組領導、專家一行通過羅德與施瓦茨（R&S）頻譜分析儀測試課題芯片的邊帶抑制（SB Rejection）和本振泄漏（LO leakage）<-35dBc，現場測試結果顯示邊帶抑制（SB Rejection）<-35dBc，本振泄漏（LO leakage）<-35dBc；通過安捷倫邏輯分析儀測試了課題芯片接收矢量誤差（EVM），現場測試結果顯示接收矢量誤差（EVM）<5%。公司測試室技術人員介紹，在理想狀態（無干擾狀況）下，接收矢量誤差（EVM）可達<3%。種種測試結果均反映廣晟微電子TD-SCDMA HSUPA高性能商用終端射頻芯片已達課題相關技術指標，并具有線性好、噪聲低等特點。
      專項調研組領導、專家一行對我公司在新一代寬帶無線移動通信網重大專項科技攻關中取得的成績給予了積極的評價，并祝愿我公司繼續保持TD-SCDMA射頻技術的領先優勢，加快發展，做大做強。