惠州市正源微電子有限公司成功開發(fā)出國(guó)內(nèi)首顆可以大批量商用的TD-SCDMA射頻功率放大器芯片ZYW88208。

　　ZYW88208采用先進(jìn)的GaInP/GaAs HBT工藝制造，支持2010MHz～2025MHz TD-SCDMA頻段，具有高低功率模式，高功率模式下芯片增益為29dB，效率為40%，通過采用具有專利技術(shù)的高低功率合成技術(shù)，在低功率下芯片仍然具有很高的效率，在16dBm線性功率輸出時(shí)芯片的效率仍然能夠達(dá)到22%，低功率模式下芯片的增益為20dB。ZYW88208還具有非常優(yōu)良的溫度特性，-20℃～80℃溫度范圍內(nèi)芯片的增益變化小于±1dB。除了具有優(yōu)良的性能外，ZYW88208還具有良好的穩(wěn)定性，ZYW88208的所有管腳均能承受1000V以上的人體模式ESD電壓，并且芯片的模擬管腳能夠承受2000V以上的人體模式ESD電壓，另外，在輸出駐波比VSWR=15:1的情況下芯片仍然性能優(yōu)良，這些穩(wěn)定性可以保證芯片在生產(chǎn)和使用過程中受到損壞的幾率大大下降，從而大大提高了芯片的工作穩(wěn)定性。

　　ZYW88208采用LGA封裝，芯片尺寸只有3mm×3mm×1mm，芯片的輸入輸出均在芯片內(nèi)部被匹配到50歐姆，這樣可以大大簡(jiǎn)化手機(jī)的布板面積，為了便于客戶驗(yàn)證和使用，芯片管腳采用通用的管腳形式。另外，ZYW88208還具有一個(gè)很好的優(yōu)點(diǎn)，由于內(nèi)部集成度很高，對(duì)控制管腳VREF和VMODE的驅(qū)動(dòng)能力要求很低，只需要外部提供邏輯驅(qū)動(dòng)電壓即可，因而可以省掉外部其他同類進(jìn)口芯片所必需的大PMOS管，這樣不僅可以節(jié)省成本，而且還可以大大減少手機(jī)布板面積。