石墨插層化合物自1841年被發現以來，一直廣泛應用于電極、電導體、超導體和電池等方面。但是，傳統的石墨插層化合物由于其厚度和大尺寸的限制，很難應用于納米器件。另一方面，石墨烯在納米電子和光電子器件方面具有顯著的潛在應用，提高其載流子濃度和遷移率一直是基礎物理和器件應用研究領域所致力解決的目標之一。如果能在石墨烯層間插入原子或分子層形成石墨烯插層化合物材料，就能把石墨插層化合物的物理、化學性質與石墨烯在納米電子和光電子器件中的潛在應用結合起來。同時，由于石墨烯的尺寸和厚度限制，傳統用于表征石墨插層化合物基本特性的重要技術-X射線衍射很難被應用來表征石墨烯插層化合物，因此必須探索新的表征手段來研究這些插層化合物。

在科技部重大科學研究計劃和國家自然科學基金的支持下，半導體所半導體超晶格國家重點實驗室譚平恒研究員研究組和英國劍橋大學Ferrari博士研究組合作，利用三氯化鐵為插層劑，成功地合成了兩層以上一階次的石墨烯插層化合物。通過控制反應條件和后處理方式，所合成的石墨烯插層化合物基本實現了石墨烯的完全摻雜，空穴濃度可達到~5.8X1014cm-2。同時，利用拉曼光譜系統地表征了所制備化合物的插層階次、層間去耦合和穩定性。研究結果表明，插層后的石墨烯化合物中每一層石墨烯都表現為重摻雜下的單層石墨烯行為，并且所制備的插層化合物相當穩定。在此基礎上，該小組又提出了利用多波長拉曼光譜方便無損地探測重摻雜下石墨烯費米能級的新方法。

該研究的部分研究成果以Article形式發表在國際著名化學期刊《美國化學會志》(J. Am. Chem. Soc., 2011, 133 (15), pp 5941-594, http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/ja110939a)。該項研究對各種石墨烯插層化合物的合成和相應重摻雜石墨烯的物理、化學性質研究具有重要意義。