近日，應用材料公司拓展了其Applied Endura Avenir RF PVD系統的應用組合，實現了鎳鉑合金(NiPt)的沉積，將晶體管觸點的制造擴展至22納米及更小的技術節點。晶體管觸點上的高質量鎳鉑薄膜對于器件性能非常關鍵，但是在高深寬比(HAR)的輪廓底部沉積材料是一個極大的挑戰。為確保觸點阻抗的一致性和最佳產品良率，Avenir系統為HAR深達5:1的觸孔提供了超過50%的底部覆蓋，其單片晶圓的成本比應用材料公司之前市場領先的系統最多可降低30%。

　　應用材料公司副總裁兼金屬沉積產品事業部總經理Prabu Raja表示：“通過把這個標桿性RF PVD技術的應用進一步拓展，應用材料公司繼續鞏固其在先進金屬化解決方案領域內的領先地位。應用材料公司的RF PVD技術為芯片制造商提供了一個低風險的路徑，使用已經通過生產驗證的技術最大限度減少開發時間，制造功能強、阻抗低的晶體管觸點。Avenir系統已在多個邏輯芯片和晶圓代工客戶的觸點制造中得到了應用和高度認可。

　　2010年，應用材料公司推出了這種基于極其成功的Endura平臺的突破性射頻增強物理氣相沉積技術，使芯片制造商可以在他們最先進的高性能邏輯器件中集成最新的金屬柵晶體管技術。Avenir RF PVD系統針對觸點應用，集成了更強的射頻源，使制造商能夠在又窄又深、直徑小于30納米的觸孔中沉積高度一致的鎳鉑層，這種能力對于減少觸點阻抗、優化晶體管性能是至關重要的。