射頻前端，作為設(shè)備于外界通信的重要節(jié)點，在整個通信系統(tǒng)中產(chǎn)生的作用不言而喻。根據(jù)統(tǒng)計，2015 年全球射頻功率放大器市場規(guī)模84.5 億美元，化合物射頻半導(dǎo)體占比高達(dá)95.33%。預(yù)計2020 年市場總量增至114.16 億美元，2014 至2020 年復(fù)合增長率7.51%。

砷化鎵器件應(yīng)用于消費電子射頻功放，是3G/4G 通訊應(yīng)用的主力，物聯(lián)網(wǎng)將是其未來應(yīng)用的藍(lán)海；氮化鎵器件則以高性能特點目前廣泛應(yīng)用于基站、雷達(dá)、電子戰(zhàn)等軍工領(lǐng)域，利潤率高且戰(zhàn)略位置顯著，由于更加適用于5G，氮化鎵有望在5G 市場迎來爆發(fā)，而砷化鎵則是5G 功放的另一種備選。

但是我們也應(yīng)該明白到，全球化合物射頻芯片設(shè)計呈現(xiàn)IDM 三寡頭格局，2015 年IDM 廠商Skyworks、Qorvo、Avago 在砷化鎵領(lǐng)域分別占據(jù)32.3%、25.5%、7.8%市場份額；產(chǎn)業(yè)鏈呈現(xiàn)多模式整合態(tài)勢，設(shè)計公司去晶圓化及IDM 產(chǎn)能外包成必然趨勢，未來行業(yè)整合仍將持續(xù)；化合物半導(dǎo)體代工市場將加速成長，預(yù)計2018 年擴張至百億人民幣規(guī)模。

基于此，我們來了解一下全球的射頻前端市場。

化合物射頻器件：自成體系的芯片產(chǎn)業(yè)

（1）射頻性能優(yōu)異的化合物半導(dǎo)體

化合物半導(dǎo)體射頻性能優(yōu)異。硅單晶材料是制作普通集成電路芯片的主要原料，但受限于材料特性，很難適用于高頻/高壓/大電流芯片應(yīng)用?；衔锇雽?dǎo)體材料因其優(yōu)良的器件特性廣泛適用于射頻器件。常見的化合物半導(dǎo)體包括三五族化合物半導(dǎo)體和四族化合物半導(dǎo)體。

其中，砷化鎵（GaAs）和氮化鎵（GaN）作為其中應(yīng)用領(lǐng)域最廣、產(chǎn)業(yè)化程度最高的三五族化合物材料，具有優(yōu)良的射頻性能，天然具備禁帶寬度寬、截止頻率高、功率密度大等特點， 作為射頻功率器件的基礎(chǔ)材料分別主宰主流民用和軍用/高性能射頻集成電路市場。

化合物半導(dǎo)體與普通Si CMOS 半導(dǎo)體器性能比較

化合物半導(dǎo)體細(xì)分應(yīng)用及說明

化合物射頻器件應(yīng)用器件工藝分布圖

化合物射頻器件應(yīng)用相關(guān)信息

（2）工藝獨特，產(chǎn)業(yè)鏈自成體系

化合物半導(dǎo)體工藝獨特，需要專門的制造產(chǎn)線。普通硅工藝集成電路和砷化鎵/氮化鎵等化合物集成電路芯片生產(chǎn)流程大致類似：先將襯底材料純化、拉晶、切片后在某種襯底上形成外延層，由代工廠按照設(shè)計公司的設(shè)計進行一系列工藝步驟進行電路制造，制成的芯片交由相關(guān)廠商進行封裝與測試，最終完成芯片制造。然而由于材料特性、外延方式和制作環(huán)境要求和普通硅CMOS 工藝截然不同，化合物集成電路需要使用專門的生產(chǎn)工藝流程與產(chǎn)線設(shè)備，進而催生出專門針對化合物半導(dǎo)體集成電路生產(chǎn)的工廠（Fab）。

砷化鎵/氮化鎵化合物半導(dǎo)體芯片制造流程示意圖

化合物半導(dǎo)體射頻器件產(chǎn)業(yè)存在整合元件制造商（IDM）和（ 無晶圓設(shè)計公司+晶圓代工廠）兩種商業(yè)模式。傳統(tǒng)的國際設(shè)計廠商都采用IDM 形式，各自配備私有產(chǎn)線，從設(shè)計到晶圓生產(chǎn)成品都自己完成。該模式的優(yōu)點為有利于技術(shù)保密、產(chǎn)線工藝參數(shù)控制及設(shè)計精確度提升，缺點是重固定資產(chǎn)配置的產(chǎn)線容易閑置浪費，且規(guī)模擴張受限。新興化合物集成電路設(shè)計公司往往采用無晶圓設(shè)計（Fabless Design House）模式，即設(shè)計公司本身不配備芯片制造產(chǎn)線，而將晶圓代工和封裝測試都交由下游專業(yè)代工廠（Fab）配合進行。

化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈主要廠商梳理

射頻核芯：GaAs 占據(jù)主流，GaN 利潤戰(zhàn)略雙高地

（1）PA：獨立于主芯片的射頻器件

射頻功率放大器（Power Amplifier, 簡稱PA）是化合物半導(dǎo)體應(yīng)用的主要器件，也是無線通信設(shè)備射頻前端最核心的組成部分。射頻前端（RF Front End） 是用以實現(xiàn)射頻信號發(fā)射與接收功能的芯片組，與基帶芯片協(xié)同工作，共同實現(xiàn)無線通訊功能。

射頻前端包括功率放大器（Power Amplifier）、開關(guān)（Switch）、濾波器（Filter）、雙工器（Duplexer）、低噪聲放大器（Low Noise Amplifier） 等功能構(gòu)件，其中核心器件是決定發(fā)射信號能力的射頻功率放大器芯片。PA 芯片的性能直接決定了手機等無線終端的通訊距離、信號質(zhì)量和待機時間，是整個通訊系統(tǒng)芯片組中除基帶主芯片之外最重要的組成部分。

射頻功率放大器主要應(yīng)用領(lǐng)域

射頻前端功能組件圍繞PA 芯片設(shè)計、集成和演化，形成獨立于主芯片的前端芯片組。隨著無線通訊協(xié)議的復(fù)雜化及射頻前端芯片設(shè)計的不斷演進，PA 設(shè)計廠商往往將開關(guān)或雙工器等功能與功率放大電路集成在一個芯片封裝中，視系統(tǒng)需求形成多種功能組合。目前PA 芯片除實現(xiàn)發(fā)射信號功率放大功能外，往往會集成開關(guān)器或雙工器，進而演化出TxM（PA+Switch）、PAiD（PA+ Duplexer）、PAM（ 多PA 模組）等多種復(fù)合功能的PA 芯片類型。

手機結(jié)構(gòu)示意圖

RF 前端細(xì)分結(jié)構(gòu)示意圖

（2）砷化鎵占據(jù)PA 主流，氮化鎵戰(zhàn)略利潤雙高地

化合物PA 芯片是射頻前端市場的主流產(chǎn)品。PA 主要有化合物工藝的砷化鎵/氮化鎵PA和硅工藝的CMOS PA。砷化鎵PA 芯片相對于硅工藝CMOS 芯片具備高頻高效率等特點，目前廣泛應(yīng)用于手機/WiFi 等消費品電子領(lǐng)域，其射頻性能雖略遜于氮化鎵射頻器件，但成本和良率方面存在相對優(yōu)勢，完全可以滿足民用需求；

GaN PA 具有最高的功率、增益和效率，但成本相對較高、工藝成熟度低于砷化鎵芯片，目前主要用于遠(yuǎn)距離信號傳送或高功率級別（ 例如雷達(dá)、基站收發(fā)臺、衛(wèi)星通信、電子戰(zhàn)等）射頻細(xì)分市場和軍用電子領(lǐng)域。

CMOS PA 采用普通硅基集成電路工藝制造，由于與主流半導(dǎo)體（ 硅）制造工藝兼容，易于集成射頻控制邏輯單元，近年來在2G 手機和低端Wifi 等消費電子領(lǐng)域出現(xiàn)爆發(fā)性增長，但始終受限于材料性能，只能應(yīng)用于對線性度、頻率和效率等方面要求較低的低端應(yīng)用，無法滿足復(fù)雜通訊系統(tǒng)的性能要求。隨著無線網(wǎng)絡(luò)頻率范圍不斷向高頻擴展及無線通訊系統(tǒng)頻帶分布的復(fù)雜化， 化合物半導(dǎo)體射頻芯片的優(yōu)勢地位未來仍將維持。

全球PA 市場化合物PA 與CMOS PA 產(chǎn)值預(yù)測（ 單位:百萬美元）

砷化鎵PA 占據(jù)市場主流，CMOS PA 低端市場占比擴大。因性能遠(yuǎn)超硅基CMOS PA器件，產(chǎn)品良率和制造成本優(yōu)于氮化鎵PA 器件，砷化鎵PA 目前在消費電子市場占據(jù)統(tǒng)治地位。根據(jù)IBS 數(shù)據(jù)，2015 年，全球PA 市場規(guī)模為84.5 億美元，其中CMOS PA 產(chǎn)值3.77億美元，市場占比僅4.67%；化合物PA 產(chǎn)值80.76 億美元，占比高達(dá)95.33%，其中絕大多數(shù)為應(yīng)用于消費品電子射頻前端的砷化鎵PA。

化合物PA 與CMOS PA 市場占比情況

氮化鎵PA 占據(jù)利潤高地，且戰(zhàn)略位置顯著。Cree 公司相關(guān)年報顯示，其氮化鎵相關(guān)的射頻與功率器件部門2013/2014/2015 年產(chǎn)值分別為0.89 億/1.08 億/1.24 億美元，毛利率分別為54%/56.5%/54.7%，受益于高端應(yīng)用，維持較高毛利水平。氮化鎵射頻器件經(jīng)過近十年的科技攻關(guān)已在2010 年實現(xiàn)高可靠量產(chǎn)，產(chǎn)品性能在寬帶、效率、高頻等三個方面全面超越GaAs 器件，主要用于軍事雷達(dá)、電子戰(zhàn)、民用基站等高端高性能應(yīng)用場景，戰(zhàn)略位置顯著。

Cree 射頻功率產(chǎn)品營收 （ 單位:百萬美元）

此外，長期困擾GaN 功率器件實用化技術(shù)推廣的瓶頸如可靠性和穩(wěn)定性問題隨著材料、工藝和器件結(jié)構(gòu)等水平的提高已大幅提升。以HRL 公司生產(chǎn)的E-W 波段GaN 器件為例，其輸出功率是其他材料器件的5 倍，且性能仍有廣闊的提升空間。出于軍事目的考慮，國外高性能的氮化鎵射頻PA 均實行對華禁運。因此完善和發(fā)展自主氮化鎵射頻半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，對增強國防安全和促進高性能射頻器件研制具有重要的意義。

國內(nèi)外氮化鎵化合物射頻器件發(fā)展情況梳理

PA 產(chǎn)業(yè)發(fā)展國內(nèi)外重大事項梳理

通訊升級驅(qū)動市場穩(wěn)健增長

（1）核心驅(qū)動力：3G/4G/5G 終端市場持續(xù)穩(wěn)定增長

預(yù)計全球2018 年移動終端出貨總量為26.5 億部。據(jù)IDC 數(shù)據(jù)，手持終端市場從2000年至2015 年保持12%的復(fù)合增長率，2015 年全球手持終端出貨量為21.8 億部。據(jù)電子行業(yè)研究機構(gòu)Navian 2015 年統(tǒng)計，預(yù)計2018 年全球手持終端出貨量26.5 億部。手持終端出總量保持平穩(wěn)增長將拉動對砷化鎵PA 芯片的需求，從而推動化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)穩(wěn)定發(fā)展

全球手持終端出貨量分制式統(tǒng)計與預(yù)測（ 單位：百萬臺）

4G終端市場占比擴大，載波聚合 （CA）技術(shù)維持砷化鎵PA優(yōu)勢地位。2012 年2G/3G/4G移動通訊手持終端出貨量占比分別約為44.7%、48.5%、6.8%；2014年分別為17.1%、51.7%、31.2%；2018 年預(yù)計為6.2%、19.1%和74.7%。4G 手持終端出貨量和市場占比逐年增加，由2011 年2100 萬臺迅速增長至2015 年的9.67 億臺，預(yù)計2018 年可達(dá)19.8 億臺，2001年至2018 年復(fù)合增速高達(dá)91.45%。LTE-A 標(biāo)準(zhǔn)使用的載波聚合技術(shù)對PA 線性度和能效的高標(biāo)準(zhǔn)要求將進一步強化砷化鎵射頻PA 芯片在該領(lǐng)域的絕對市場份額。

4G LTE 手持終端出貨量預(yù)測（ 單位：百萬臺）

多模多頻終端單機所需的PA 芯片增至5-7 顆，Strategy Analytics 預(yù)測5G 單機需16顆PA。手持終端單機所需PA 個數(shù)取決于通訊標(biāo)準(zhǔn)的調(diào)制方式和頻帶數(shù)目，考慮到無線通訊設(shè)備對通訊制式的向下兼容，對單機射頻前端數(shù)目更多且性能要求更高。

一方面，3G/4G所需頻帶數(shù)目較2G 系統(tǒng)大幅增加，尤其是4G 頻段眾多，而單個終端內(nèi)PA 數(shù)目與需要支持的頻段數(shù)目正向相關(guān)，不相鄰頻段間難以實現(xiàn)PA 復(fù)用；

另一方面，3G/4G 的通訊信號調(diào)制方式與2G 不同，對PA 的特性要求不同（3G/4G 要求使用線性PA），基于性能考慮很難通用。

加之各國各運營商頻段和制式（FDD/TDD）分配情況復(fù)雜，單個手持終端為滿足用戶多模多頻的實際應(yīng)用需求，需要集成的PA 個數(shù)和實現(xiàn)復(fù)雜度都隨之提升，進而導(dǎo)致單機PA 成本提升。統(tǒng)計結(jié)果顯示，2G 時代手機單機PA 芯片成本僅0.3 美元/部，3G 手機則提升至約1.25 美元/部，而4G 時代則增至2 美元～3.25 美元/部，高端手機成本甚至更高，僅iPhone6 射頻部分就使用了6 顆PA 芯片。據(jù)Strategy Analytics，5G 手機天線可能與信號收發(fā)器集成，需多顆PA 組成發(fā)射通道，未來單機所需PA 或達(dá)16 顆。

各種通訊協(xié)議的手持終端覆蓋頻段統(tǒng)計

移動通訊升級成為化合物射頻半導(dǎo)體持續(xù)增長的主要動力。移動終端射頻前端作為化合物集成電路的主要應(yīng)用市場，其增長速度大于終端產(chǎn)品出貨量增速，主要受益于3G/4G 單機PA 復(fù)雜度的上升和成本的增加。根據(jù)終端出貨情況和對應(yīng)射頻前端成本， 我們測算2014年全球手持終端市場PA 芯片（部分含Switch）總產(chǎn)值約40.38 億美元，預(yù)計2018 年，總產(chǎn)值將增長至86.57 億美元。

手持終端領(lǐng)域PA 市場空間細(xì)分及預(yù)測（ 單位：百萬美元）

未來5G 技術(shù)的發(fā)展將進一步拓展化合物PA 芯片的市場空間。5G 標(biāo)準(zhǔn)預(yù)計采用的高載頻（6G～80GHz），高數(shù)據(jù)吞吐率和寬頻多天線系統(tǒng)，對PA 性能指標(biāo)和數(shù)目也提出更高的要求。

Qorvo 預(yù)測，8GHz 以下砷化鎵仍是主流，8GHz 以上氮化鎵替代趨勢明顯。砷化鎵作為一種寬禁帶半導(dǎo)體，可承受更高工作電壓，意味著其功率密度及可工作溫度更高，因而具有高功率密度、能耗低、適合高頻率、支持寬帶寬等特點，5G 時代將被廣泛應(yīng)用于基站等基礎(chǔ)設(shè)施，而氮化鎵有望在更廣闊的移動終端市場成為主力。

目前CMOS 工藝射頻器件尚不能滿足3G/4G 通訊性能的需求。可以預(yù)計在未來載波頻率更高、頻段更多、頻寬更寬的5G 時代，氮化鎵化合物PA 芯片仍將占據(jù)主流，將進一步強化和拓展化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的市場空間。同時，PA 應(yīng)用數(shù)量將大幅提升，Strategy Analytics 稱5G 時代單機所需PA或達(dá)16 顆。

GaAs、Si-LDMOS、GaN 方案面積對比

（2）輔助驅(qū)動力：物聯(lián)網(wǎng)高性能互連需求和軍工

無線網(wǎng)關(guān)領(lǐng)域?qū)Ω邤?shù)據(jù)率遠(yuǎn)距離傳輸?shù)男阅苄枨?，將加速推動WiFi 領(lǐng)域?qū)衔锷漕l功放芯片的需求。目前無線局域網(wǎng)網(wǎng)關(guān)WiFi 領(lǐng)域采用的802.11 b/g/n 標(biāo)準(zhǔn)對射頻性能要求不高，功率發(fā)射單元多被集成到WIFI 基帶芯片中，只有中高端方案采用單獨PA 芯片供WIFI使用。

從2016 年開始，在無線局域網(wǎng)網(wǎng)關(guān)和物聯(lián)網(wǎng)WiFi 領(lǐng)域，支持雙頻（2GHz&5GHz），MIMO（ 多進多出天線）和高發(fā)射功率性能需求的802.11ac 標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)備市占率將大幅增加。根據(jù)Infonetics Research 預(yù)測結(jié)果，2018 年802.11ac 標(biāo)準(zhǔn)WiFi 市場占比將超過80%。

預(yù)計在手機WiFi 模塊應(yīng)用上也將出現(xiàn)同樣的趨勢。支持802.11ac 協(xié)議的旗艦手機目前已逐步增加，業(yè)界標(biāo)桿企業(yè)蘋果在iphone6/6plus 中已配置支持該協(xié)議的WiFi 模組。物聯(lián)網(wǎng)對數(shù)據(jù)傳輸速率和多頻運行環(huán)境支持將進一步拉動性能優(yōu)勢明顯的GaAs PA 增量快速發(fā)展。

802.11ac 標(biāo)準(zhǔn)WiFi 產(chǎn)品占比增長趨勢

軍工領(lǐng)域?qū)τ诟叨送ㄓ嵁a(chǎn)品的需求也將促進化合物半導(dǎo)體射頻芯片市場更快增長。未來雷達(dá)和電子戰(zhàn)系統(tǒng)需要大功率的無線信號發(fā)射系統(tǒng)，器件的可靠性要求也更為嚴(yán)苛，其功放芯片通常采用GaN 或GaAs 制造。根據(jù)Strategy Analytics 的預(yù)測，2018 年軍用GaAs 器件市場規(guī)模將達(dá)到5 億美元，年復(fù)合增長率達(dá)13%，其中最大的應(yīng)用領(lǐng)域為雷達(dá)，約占60%。軍用領(lǐng)域的增長驅(qū)動以及軍用產(chǎn)品國產(chǎn)化的迫切需求將給化合物半導(dǎo)體帶來更大的市場空間。

化合物半導(dǎo)體在軍工領(lǐng)域的應(yīng)用

（3）化合物射頻集成電路：百億美金市場空間

PA 全球全行業(yè)產(chǎn)值增長趨勢（ 單位：百萬美元）

砷化鎵占據(jù)射頻PA 市場絕對市場份額，2020 年可達(dá)百億美元規(guī)模。2014 年，全球PA市場規(guī)模為73.9 億美元，由于砷化鎵PA 由于相對Si 基CMOS PA 性能優(yōu)勢明顯，砷化鎵PA產(chǎn)值占據(jù)絕對市場份額，合計71.49 億美元， 市場占比高達(dá)94%。同時，受益于移動終端升級、物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展，PA 市場總量預(yù)計2020 年將增至114.16 億美元，2014 至2020年復(fù)合增長率為7.51%。

氮化鎵射頻器件市場預(yù)計2020 年可達(dá)6.2 億美元。Yole Development 數(shù)據(jù)顯示，2010年全球氮化鎵射頻器件市場總體規(guī)模僅為6300 萬美元，2015 年2.98 億美元，2020 年預(yù)計約6.2 億美元。2015 年至2022 年復(fù)合增長率為13%。總體市場規(guī)模相對于砷化鎵射頻芯片小很多，但考慮到氮化鎵PA 器件在軍事安全領(lǐng)域和高性能民用基站、高頻功率轉(zhuǎn)換器件等領(lǐng)域的諸多應(yīng)用，其戰(zhàn)略位置和發(fā)展前景不言而喻。

全球氮化鎵射頻器件市場規(guī)模總量（ 單位：百萬美元）

寡頭格局，代工崛起

（1）IDM 主導(dǎo)寡頭競爭格局

全球化合物射頻芯片設(shè)計業(yè)呈現(xiàn)IDM 三寡頭格局。由于GaAs/GaN 化合物集成電路工藝的獨特性及射頻電路設(shè)計高技術(shù)壁壘，化合物半導(dǎo)體市場總體呈現(xiàn)寡頭競爭格局，且以IDM 公司為主。

2014 年P(guān)A 市場傳統(tǒng)砷化鎵IDM 廠商Skyworks、Qorvo、Avago 三寡頭市場份額分別為37%、25%、24%。設(shè)計第四大廠Murata 于2012 年3 月收購Renesas 旗下相關(guān)事業(yè)部，進軍砷化鎵PA 市場，完成對射頻行業(yè)全備產(chǎn)品線布局，2014 年占據(jù)市場份額9%。以RDA 為代表的國內(nèi)Fabless 設(shè)計廠商因目前主要產(chǎn)品集中于單顆售價低于0.3美元的2G PA 領(lǐng)域，2014 年合計市場份額小于5%。

2014 年全球PA 設(shè)計行業(yè)市場份額

（2）優(yōu)秀設(shè)計公司涌現(xiàn)，產(chǎn)業(yè)持續(xù)整合

產(chǎn)業(yè)鏈呈現(xiàn)多模式整合態(tài)勢。一方面，隨著行業(yè)發(fā)展和技術(shù)演進，傳統(tǒng)的砷化鎵/氮化鎵化合物射頻IDM 廠商為保持自身技術(shù)優(yōu)勢，選擇強強聯(lián)手或持續(xù)整合新興的Fabless 設(shè)計公司；

另一方面，高通、聯(lián)發(fā)科等基帶芯片平臺為增強平臺自身的競爭力，選擇參股或并購相應(yīng)的射頻化合物集成電路設(shè)計廠商。近年來PA 行業(yè)并購不斷：國際方面，RFMD 收購TriQuint，PA 龍頭強強聯(lián)手；Skyworks 收購AXIOM 和SiGe、RFMD 收購Amalfi、Avago收購Javelin，傳統(tǒng)GaAs PA 大廠推進GaAs、CMOS、SiGe 等工藝多元化戰(zhàn)略；聯(lián)發(fā)科收購絡(luò)達(dá)科技（Airoha）31.55%股權(quán)、Qualcomm 并購Black Sand，基帶廠商涉足PA 領(lǐng)域提平臺案競爭力。

國內(nèi)方面，2014 年7 月紫光集團完成對銳迪科收購；2015 年5 月北京建廣資產(chǎn)管理（JAC Capital）收購NXP 功率放大器（RF Power） 事業(yè)部門，在國家意志驅(qū)動及并購基金引導(dǎo)下，中國赴海外私有化PA 廠商大幕開啟。

全球砷化鎵/氮化鎵PA 廠商并購情況分類梳理

預(yù)期未來行業(yè)整合仍將持續(xù)。主要集中在以下領(lǐng)域：

（a）隨著獨立PA 設(shè)計廠商生存空間縮小，占據(jù)資金和產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢的基帶芯片公司有望并購PA 廠商，以補全平臺設(shè)計鏈；

（b）占主導(dǎo)地位的砷化鎵/氮化鎵PA Fabless 或IDM 廠商并購采用CMOS 工藝的Fabless 設(shè)計等新技術(shù)廠商，以增強自身技術(shù)覆蓋范圍和保持持續(xù)競爭力；

（c）考慮到高性能氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域敏感性，出于軍事安全/技術(shù)保密/產(chǎn)品性能深度優(yōu)化的考慮，不排除設(shè)計公司通過收購方式建立化合物芯片產(chǎn)線，或代工廠反向收購設(shè)計公司打造垂直產(chǎn)業(yè)鏈的并購可能；

（d）大陸扶持集成電路行業(yè)意志堅決，海外并購優(yōu)秀的砷化鎵廠商將持續(xù)加速；

（e） 國內(nèi)消費電子產(chǎn)業(yè)鏈上下游公司出于拓展業(yè)務(wù)目的收購優(yōu)質(zhì)化合物半導(dǎo)體設(shè)計公司，如長盈精密收購蘇州宜確股權(quán)布局物聯(lián)網(wǎng)，未來利用自身的產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢向客戶推廣其射頻功放產(chǎn)品。

（3）化合物晶圓代工模式加速成長

砷化鎵芯片產(chǎn)能滯后，增長需求強烈。據(jù)統(tǒng)計2015 年全球PA 行業(yè)總產(chǎn)值為84.5億美元，砷化鎵代工市場總產(chǎn)值為6.5 億美元，占比僅7.7%。2014 年二季度由于中低端智能手機的增量爆發(fā)和4G 市場占比的迅速拉升，大陸手機市場砷化鎵PA 產(chǎn)能供給嚴(yán)重不足，市場缺口一度高達(dá)20%以上。以Skyworks 為代表的國外IDM 大廠PA 缺貨嚴(yán)重，甚至迫使聯(lián)發(fā)科等平臺芯片廠商修改平臺設(shè)計方案應(yīng)對。

設(shè)計公司“去晶圓化”，IDM 產(chǎn)能外包成未來必然趨勢。與硅基集成電路發(fā)展趨勢類似，化合物半導(dǎo)體公司也將逐步由垂直一體的IDM 模式向 “無晶圓Fabless 設(shè)計+專業(yè)晶圓代工”模式發(fā)展。一方面，新成立的設(shè)計公司一般不購置重資產(chǎn)的芯片生產(chǎn)產(chǎn)線，采用Fabless 的純設(shè)計公司方式有助于保持公司的靈活性；

另一方面，考慮到晶圓代工產(chǎn)業(yè)已然成規(guī)模及受到新興Fabless 設(shè)計公司擠壓，IDM 公司對自有產(chǎn)線擴展投資更為保守，因其自有產(chǎn)能必須要保證充分利用產(chǎn)線才不至于閑置。相比之下晶圓代工廠則可以通過掌握Fabless 及IDM外發(fā)訂單維持產(chǎn)能利用率。傳統(tǒng)的IDM 大廠越來越傾向于不再采用擴大自身產(chǎn)能，轉(zhuǎn)而采用外包給專業(yè)的晶圓代工公司進行芯片生產(chǎn)，進而又推動晶圓代工模式的成長。代工市場產(chǎn)值有望穩(wěn)步增長。

隨著Fabless 設(shè)計公司的涌現(xiàn)和IDM 外包業(yè)務(wù)的發(fā)展，化合物集成電路代工業(yè)務(wù)將持續(xù)穩(wěn)步增長。2015 年全球砷化鎵代工市場總量為6.5 億美元，其中龍頭臺灣穩(wěn)懋月產(chǎn)能24k 片（ 以6 英寸片計），產(chǎn)值3.78 億美元，占比58.2%。受益于PA 芯片業(yè)務(wù)市場需求的迅猛增長和產(chǎn)業(yè)模式轉(zhuǎn)變， 預(yù)計全球化合物集成電路代工業(yè)務(wù)市場將實現(xiàn)增量擴張。

砷化鎵代工廠與IDM 廠產(chǎn)值統(tǒng)計（ 單位：百萬美元）

2015 年全球砷化鎵晶圓代工競爭格局

國家意志驅(qū)動，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈崛起

（1）內(nèi)需拉動集成電路產(chǎn)業(yè)整體發(fā)展

集成電路巨額進口和國家安全戰(zhàn)略引起國家高度重視。集成電路被喻為國家的“工業(yè)糧食”和國防現(xiàn)代化的“電子血液”，而中國集成電路產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)薄弱，嚴(yán)重依賴進口，實際自給率僅有約10%，進幾年進口金額接近甚至超過原油進口，因此，發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)已經(jīng)被提升為國家安全戰(zhàn)略布局。

中國集成電路和原油進口金額

國家意志有望驅(qū)動行業(yè)戰(zhàn)略性拐點。

（a）5/10 年成長周期，扶持政策明確。近年來集成電路扶持政策密集頒布，融資、稅收、補貼等政策環(huán)境不斷優(yōu)化。尤其是2014 年6 月出臺的《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》，定調(diào)“設(shè)計為龍頭、制造為基礎(chǔ)、裝備和材料為支撐”，以2015、2020、2030 為成長周期全力推進我國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

（b）龐大資本運作，撬動發(fā)展的主要手段。2014 年10 月，中國成立國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（ 簡稱“大基金”），“大基金”首批規(guī)模將達(dá)到1200 億元，至2016 年9 月已投資37 個項目，28個企業(yè)，加之超過6000 億元的地方基金以及私募股權(quán)投資基金，中國有望以千億元基金撬動萬億元資金投入集成電路行業(yè)，加速行業(yè)重組、并購。

（2）國產(chǎn)化趨勢明朗：“芯片禁運”與需求缺口化合物射頻芯片大陸需求端市場全備，供給端受“芯片禁運”遏喉，本土化迫在眉睫。

（a）需求端：終端應(yīng)用市場全備，規(guī)模條件逐步成熟。隨著全球移動終端產(chǎn)品產(chǎn)能向中國轉(zhuǎn)移， 中國已經(jīng)成為全球PA 終端產(chǎn)品制造基地，2015 年中國汽車、平板電腦、PC、智能手機出貨量占全球比重分別達(dá)28%、14%、30%、41%，終端應(yīng)用市場全備，化合物PA 芯片市場空間巨大。

（b）供給端：中國尚無產(chǎn)值規(guī)模占比居前、技術(shù)領(lǐng)先的砷化鎵/氮化鎵集成電路設(shè)計、晶圓代工廠商，PA 尤其是中高端3G/4G 手機射頻PA 芯片嚴(yán)重依賴進口。美國對華“芯片禁運”政策，尤其是高性能、軍用PA 禁運政策非常嚴(yán)格，也將極大刺激氮化鎵芯片產(chǎn)業(yè)本土化發(fā)展。

2015 年全球及中國汽車、平板電腦、智能手機出貨量

（3）設(shè)計端基礎(chǔ)扎實，技術(shù)突破在即

大陸優(yōu)秀設(shè)計公司不斷涌現(xiàn)，2G PA 市場領(lǐng)域已占“半壁江山”。和其他集成電路細(xì)分行業(yè)發(fā)展軌跡類似， 我國化合物集成電路設(shè)計公司較國外IDM 大廠比起步較晚、規(guī)模相對較小，目前集中于低端消費類電子PA 領(lǐng)域， 普遍采用Fabless 的純設(shè)計公司模式，由臺灣代工廠穩(wěn)懋等專業(yè)代工廠商提供芯片制造服務(wù)。區(qū)別于基帶數(shù)字電路芯片動輒上千人的“集團軍” 作戰(zhàn)模式， 化合物集成電路多為射頻模擬電路，F(xiàn)abless 設(shè)計公司核心工程師團隊往往只需數(shù)十人甚至數(shù)人。受益于國外人才回流和信息壁壘削弱， 大陸化合物集成電路設(shè)計公司總體發(fā)展勢頭迅猛， 涌現(xiàn)出如銳迪科/漢天下/唯捷創(chuàng)芯等一系列在業(yè)界占據(jù)一席之地的優(yōu)秀射頻功率放大器設(shè)計公司。

2G 通訊終端領(lǐng)域，大陸PA 廠商出貨量已遠(yuǎn)超國外IDM 大廠，合計份額超過75%，占據(jù)市場主流地位。2014 年，銳迪科微電子2G PA 2014 年出貨量1.41億顆，3G PA 出貨量300 萬顆，PA 事業(yè)部實現(xiàn)營收4300 萬美元；中科漢天下微電子2G PA出貨量2.52 億顆，3G PA 出貨量4600 萬顆，實現(xiàn)營收9000 萬美元。唯捷創(chuàng)芯在3G PA領(lǐng)域起步較早，2013/2014/2015 年分別實現(xiàn)營收3.40 億元、4.69 億元和4.1 億元。

2014 年2G PA 市場出貨量占比

2014 年4G PA 市場出貨量占比

技術(shù)突破在即，3G/4G 市場國產(chǎn)化替代加速。目前4G PA 市場仍被Skyworks、Qorvo、Avago 和Murata 等幾家供應(yīng)商壟斷，其他各家研發(fā)進度也在提速，國產(chǎn)化趨勢確定。預(yù)計2018 年4G PA 市場大陸PA 市占率將大幅增加，占比達(dá)20%～40%。

（4）晶圓代工強勢導(dǎo)入，全產(chǎn)業(yè)鏈雛形初現(xiàn)

中國化合物射頻半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈雛形

設(shè)計推動代工， 大陸化合物晶圓代工龍頭“呼之欲出”，PA 類IDM 產(chǎn)業(yè)鏈初現(xiàn)。目前我國化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其是PA Fabless 設(shè)計領(lǐng)域已經(jīng)涌現(xiàn)出銳迪科（RDA）、唯捷創(chuàng)芯（Vanchip）、漢天下（Huntersun）、國民飛驤（2015 年收購國民技術(shù)射頻PA 業(yè)業(yè)務(wù)）、蘇州宜確（2015 年被長盈精密收購20%股權(quán)）等廠商，及CETC13 所、CETC55 所等軍用科研院所。

國內(nèi)化合物集成電路設(shè)計目前已占領(lǐng)2G/3G/WiFi 等消費品電子市場中的低端應(yīng)用。其中漢天下和唯捷創(chuàng)芯已分別在國內(nèi)2G/3G PA 市場占據(jù)較大市場份額，各家4G 砷化鎵射頻模組芯片研發(fā)快速推進，2015 年內(nèi)均有望實現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)， 國產(chǎn)化替代趨勢明朗且持續(xù)加速。

封測領(lǐng)域已經(jīng)儲備長電科技、晶方科技、華天科技等優(yōu)質(zhì)企業(yè)。未來代工環(huán)節(jié)有望由三安光電填補空白。2015 年三安光電擬募投建設(shè)年產(chǎn)能30 萬片砷化鎵和6 萬片氮化鎵 （6 寸）生產(chǎn)線，2018 年底達(dá)產(chǎn)產(chǎn)能有望超越臺灣穩(wěn)懋現(xiàn)有規(guī)模（2015 年月產(chǎn)能24k 片），成為大陸第一家規(guī)模量產(chǎn)GaAs/GaN 化合物晶圓代工企業(yè)。在國家意志驅(qū)動下，未來大陸有望打造“設(shè)計+晶圓代工+封裝測試PA 類IDM 全產(chǎn)業(yè)鏈。