近日，法國著名咨詢公司Yole在名為《2016～2020年氮化鎵（GaN）射頻市場：應用、企業、技術和襯底》的報告中預測，2016～2020年GaN射頻器件市場將擴大至目前的2倍，市場復合年增長率（CAGR）將達到4%；2020年末，市場規模將擴大至目前的2.5倍。

2015年，受益于中國LTE網絡的大規模應用，帶來無線基礎設施市場的大幅增長，有力地刺激了GaN射頻產業。2015年末，整個GaN射頻市場規模接近3億美元。2017～2018年，在無線基礎設施及國防應用市場需求增長的推動下，，GaN市場會進一步放大，但增速會較2015年有所放緩。2019～2020年，5G網絡的實施將接棒推動氮化鎵市場增長。

GaN應用領域包括軍事和宇航、無線基礎設施、衛星通信、有線寬帶，以及其它ISM頻段應用。

GaN最初是為支持政府軍事和太空項目而開發，但已得到商業市場的完全認可和應用，在無線基礎設施領域的應用已超越國防應用，市場占比超過GaN市場總量的一半以上。隨著對數據傳輸及更高工作頻率和帶寬需求的增長，2016～2022年無線基礎設施領域的CAGR將達到16%。在未來的網絡設計中，如載波聚合和大規模MIMO等新技術的發展應用，將使GaN比現有橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）更具優勢。

但與此同時，國防領域仍將是GaN不可忽視的重要應用市場，并保持穩定增長。GaN在國防領域的應用主要包括IED干擾器、軍事通訊、雷達、電子對抗等。GaN將在越來越多的國防產品中得到應用，充分體現其在提高功率、縮小體積和簡化設計方面的巨大優勢。

GaN領域的企業包括美國的美高森美（Microsemi）、M-A/COM、Qorvo、雷聲、諾格、Wolfspeed、Anadigics，荷蘭Ampleon和恩智浦（NXP），德國UMS，韓國RFHIC，日本的三菱（Mitsubishi）和住友（Sumitomo）。（注：科銳Cree2015年9月3日宣布將把旗下的功率和射頻部門更名為Wolfspeed）。

下一步，碳化硅基GaN技術（GaN-on-SiC）和硅基GaN技術（GaN-on-Silicon）將繼續并行發展。目前，GaN-on-SiC占GaN商用器件總量的95%以上，成熟度遠高于GaN-on-Silicon。但GaN-on-Silicon將對成本敏感的應用領域形成吸引力，如LTE、衛星通信終端、有線電視和射頻能量收集等，并對GaN-on-SiC市場形成挑戰。