[據(jù)美國化合物半導(dǎo)體公司網(wǎng)站2016年3月23日報道]2015年，無線基礎(chǔ)設(shè)施市場的銷售額由于中國大規(guī)模采用LTE網(wǎng)絡(luò)而迅速增長。2015年年底，氮化鎵射頻應(yīng)用市場已經(jīng)接近3億美元。其后兩年的銷售可能不會太快，但仍會繼續(xù)增長，主要的動力來自于無線基礎(chǔ)設(shè)施市場以及國防市場對氮化鎵技術(shù)的需求加大。

由于建設(shè)5G網(wǎng)絡(luò)，2019～2020年期間這一市場將獲得迅速增長。市場規(guī)模將在2022年底之前增大2.5倍，2016年～2022年的復(fù)合年均增長率將達(dá)到14%。

無線設(shè)施，對氮化鎵技術(shù)的需求占氮化鎵整體市場規(guī)模的一半以上，2016年～2022年的復(fù)合年均增長率將達(dá)到16%。盡管氮化鎵技術(shù)發(fā)展之初被用于支持政府的軍事和航天項目，我們還是能夠很快看到主流商業(yè)市場可以接受這種新技術(shù)。

氮化鎵在基站和無線等應(yīng)用領(lǐng)域的需求增加，主要源于對數(shù)據(jù)流量、更高工作頻率及帶寬的需求的增長。在未來網(wǎng)絡(luò)設(shè)計中，類似于載波聚合和大規(guī)模多入多出等新技術(shù)將獲得應(yīng)用，這使氮化鎵處于比現(xiàn)有高壓場效應(yīng)管的優(yōu)勢明顯。氮化鎵產(chǎn)品還沒有全面覆蓋無線基礎(chǔ)設(shè)施市場，并在高頻領(lǐng)域獲得更多機會。

95%的氮化鎵器件都采用了碳化硅襯底上的氮化鎵技術(shù)。該技術(shù)的成熟使其比硅襯底上的氮化鎵技術(shù)更有優(yōu)勢，大多數(shù)的氮化鎵射頻技術(shù)都采用碳化硅襯底上的氮化鎵技術(shù)實現(xiàn)。該技術(shù)不但能夠提高性能，而且可以降低成本，因此成為許多公司的選擇。同時高壓場效應(yīng)管和砷化鎵在對性能要求不高的大批量應(yīng)用場合下仍是主要應(yīng)用技術(shù)。

但是門并沒有對硅襯底上的氮化鎵技術(shù)關(guān)上。美國MA-COM公司正在發(fā)展其硅襯底上的氮化鎵產(chǎn)品，并推出其用于基站的第四代氮化鎵產(chǎn)品具有和高壓場效應(yīng)管相似的成本。從2016年～2022年，硅襯底上的氮化鎵技術(shù)將應(yīng)用在LTE、衛(wèi)星通信終端、有線電視、射頻能量等領(lǐng)域，碳化硅襯底上的氮化鎵技術(shù)仍然是氮化鎵射頻應(yīng)用的首選技術(shù)。情況正在發(fā)生急劇變化，但目前硅襯底上的氮化鎵技術(shù)仍是碳化硅襯底上的氮化鎵技術(shù)的挑戰(zhàn)者。（工業(yè)和信息化部電子科學(xué)技術(shù)情報研究所  王?。?/p>