GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SIC、金剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。它具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質和強的抗輻照能力，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。

受軍工需求拉動，氮化鎵射頻器件市場份額預期將以復合增長率20%的速度增長，其產值在2019年可達5.6億美元。

據戰略分析公司公布的報告統計，氮化鎵射頻器件將有一半用于軍工方面，并且此市場份額在2019年將上漲到60%。軍工方面主要是在通訊設備上的應用。

美國國防部在推動氮化鎵射頻器件在國防方面的應用起到了重要作用，許多氮化鎵射頻器件技術多應用在微波和毫米放大器上。

美國戰略技術研究公司負責人Asif Anwar 表示，氮化鎵射頻器件在軍工方面的應用發展很快，預計氮化鎵射頻器件在雷達，通訊設備，電子戰場方面的應用將繼續拓展，市場份額將進一步增加。

戰略分析報告中稱，氮化鎵射頻器件在商用方面也將迎來廣泛應用，其增長主要是建筑物中的無線基礎設備，并將成為商用最主要的應用領域。然而，該機構也警告 道，中國長期發展的標準的大型網絡接收站點減少，小型單元基礎站點興起，這將會阻礙氮化鎵射頻器件在商用方面的增長速度。

日本電信集團移動通訊公司曾經是標準大型網絡接收站點的主要使用者，其站點支撐2G和3G無線網絡。但現在無線運營商越來越多的依賴小型單元基礎站點，其信號可覆蓋2千米，更利于移動流量的增長和無線電頻譜分配站的合理使用。

先進半導體設備服務部門負責人Eric Higham表示，無線和寬頻基礎設施（功率放大器）也將應用在其他商用方面。價格是主要因素，（氮化鎵技術在LDMOS和砷化鎵技術的市場份額中增大），而其他的一些有利政策也將影響此技術的應用。