近日，美國透明度市場研究公司發布一份名為《2013～2019年氮化鎵半導體器件（功率半導體和光電半導體）市場--全球產業分析、規模、份額、增速、趨勢和預測》的研究報告。其中指出，2012年，氮化鎵半導體器件市場產值為3.7982億美元，并將在2019年達到22.0373億美元，2013～2019年的復合年增長率也將達到24.6%。美國在全球氮化鎵器件市場中占據最大份額，2012年達到32.1%，其次分別是歐洲、亞洲和世界其他地區。而亞洲由于電子產業的快速增長，將是氮化鎵半導體器件市場增長最快的地方，2013～2019年的復合年增長率預計將達到27.7%。

由于對高速、高溫和大功率半導體器件需求的不斷增長，使得半導體業重新考慮半導體所用設計和材料。隨著多種更快、更小計算器件的不斷涌現，硅材料已難以維持摩爾定律。由于氮化鎵材料所具有的獨特優勢，如噪聲系數優良、最大電流高、擊穿電壓高、振蕩頻率高等，為多種應用提供了獨特的選擇，如軍事、宇航和國防、汽車領域，以及工業、太陽能、發電和風力等高功率領域。氮化鎵具有比硅更高的能效，因此所需熱沉數量少于硅。應用領域的擴展和軍事需求的增加是驅動氮化鎵半導體器件市場增長的主要力量。需求量的增加主要是由于氮化鎵器件所能帶來的在器件重量和尺寸方面的顯著改進。另外，氮化鎵器件擊穿電壓的提升有望推動氮化鎵在電動車輛中的使用量。

2012年，由于氮化鎵光電半導體在軍事、宇航、國防和消費電子的使用，使得光電半導體成為全球氮化鎵半導體器件市場的主要產品類型，并占據市場的96.6%。其中功率半導體器件將隨著工業應用對大功率器件需求的增長成為未來增長速度最快的器件。

在各種應用中，軍事，國防和宇航部分占據氮化鎵半導體市場的最高份額，2012年達到8168萬美元。消費類電子是第二大應用領域，之后是信息通信技術（ICT）和汽車應用。隨著4G網絡的發展，對高功率晶體管和基站的需求預計將增加。因此，ICT行業對氮化鎵功率半導體的需求將以最快的速率增長。

全球光子集成電路市場呈現分散和競爭激烈的態勢。主要的行業參與者包括日本的富士通（Fujitsu）公司、日亞化學工業株式會社、加拿大的氮化鎵系統（GaN System）公司、美國的飛思卡爾（Freescale）半導體公司、國際整流器（IR）公司、科瑞（Cree）公司、射頻微系統公司（RFMD）等。

（工藝和信息化部電子科學技術情報研究所  張倩）