移動芯片大廠高通（Qualcomm）最新發布CMOS PA（Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Power Amplifer互補式金氧半導體功率放大器），挾CMOS材料低成本優勢侵蝕PA市場，使得砷化鎵族群昨股價盤中大跌逾3%；不過，砷化鎵業者認為，高通新產品的功率及效能還不清楚，未來對砷化鎵在PA領域的優勢是否會造成影響還有待觀察。

高通指出，將在今年下半年推出以CMOS制程生產的PA，支持LTE-FDD、LTE-TDD、WCDMA、EV-DO、CDMA 1x、TD-SCDMA與GSM/EDGE等7種模式，頻譜將涵蓋全球使用中的逾40個頻段，以多頻、多模優勢宣布進軍行動PA產業。

穩懋：今年是關鍵年

穩懋總經理王郁琦日前針對產業出現變化強調，今年是砷化鎵產業關鍵的1年，主要是通訊市場由3G升至4G，需要更高頻寬及速度，砷化鎵芯片在傳輸速度上高于矽芯片5倍以上，最適合發展。

業者認為，單就砷化鎵的物理性質來說，砷化鎵的高飽和電子速率及高電子移動率，在高頻PA領域的需求是CMOS等矽材料無法跟上的，加上若以電子移動速率分析，砷化鎵材料的物理表現是矽材料的5倍，而這項物理性質對于需高頻、高功率運作的智能手機而言，是相當關鍵的特質。