（編譯文慧）據國外媒體報道，2011年，無線基礎設施市場中的RF功率半導體元件的支出出現顯著增長。而同期的其他市場尤其是軍用市場增長則較為溫和，主要是受到全球經濟前景和政治因素的影響。

　　此外，一直以來被視為RF功率半導體元件大有前途的新型“材料選擇”的氮化鎵（GaN）繼續擴大其市場份額。

　　移動網絡研究部主任蘭斯·威爾遜（LanceWilson）指出：“氮化鎵的市場份額肯定會在2012年大幅增長，預計在2017年以前一直是一股重要的增長力量。它彌補了兩項原有技術之間的差距，展示了與硅LDMOS（橫向擴散金屬氧化物半導體）的功率處理能力相結合的砷化鎵的高頻性能。這是目前已經獲得了一定市場份額的主流技術，預計這一技術的市場份額將在未來大幅提高。”

　　垂直市場顯示，除無線基礎設施部分以外，RF功率半導體元件業務呈現強勁上揚勢頭的另一個領域是商業航空電子設備和空中交通管制市場威爾遜認為該市場目前正成長為“一個重要的市場。”雖然這些芯片設備的生產商主要集中在工業化國家，但這一細分市場目前已經全球化，終端設備買家遍布世界各地。