2014年是4G牌照發放元年，但據業內人士指出4G的發展將不似3G時代那樣漸進式的發展，而將是爆發式的發展。無論是4G網絡基礎建設、4G手機產業鏈都將在這個爆發式的發展中受益。

中國的4G發展吸引了國內外的相關廠商的高度關注，在剛過去的2014慕尼黑上海電子展期間，OFweek電子工程網編輯采訪了TriQuint中國區總經理熊挺先生。他在談話中通報了TriQuint與RFMD的合并相關事宜，并且談到了4G的發展所帶來的機遇及需要解決的問題。

TriQuint展廳

TriQuint中國區總經理熊挺

TriQuint與RFMD的合并事宜

北京時間2月24日，TriQuint和RFMicroDevices（RFMD）宣布，兩家公司已經達成協議，將合并成為一家新的公司，合并后的新公司將提供一系列的移動相關產品和服務，并將為網絡基礎設施和國防/航空行業提供服務。

熊總特別提到了此次合并的細節，內容如下：

1）雙方股東各持有新公司50%的股份，所以此次結合在資金上是完全平等的合并。新公司的董事會將從兩家公司的現有董事會成員中各挑選5名擔任，其中8人是獨立董事。

2）新公司的領導團隊也將會盡量的保持平衡。例如，RFMD的CEOBobBruggeworth將擔任新公司的CEO，TriQuint的原CEO Ralph Quinsey將擔任新公司的非執行董事長...

3）新公司將會分別在TriQuint和RFMD的現本部地址所在設立兩個總部，形成雙總部結構；

4）對于本次公司合并所起到的市場效應，熊總表示：“我認為本次TriQuint與RFMD的合并是一次相互增強型的市場動作。”

他解釋道，射頻技術主要可以分為：放大、濾波和開關三大塊。TriQuint和RFMD在放大器方面都是做的比較好的，但是RFMD側重2G/3G，TriQuint則著重于3G/4G。TriQuint的濾波器技術主要是SAW和BAW，而RFMD缺少這項技術，所以在這這方面是一個完全的互補。在開關方面，RFMD的主流技術是SOI，TriQuint的技術是砷化鎵，但他認為未來SOI將是主流，因此RFMD又填補了TriQuint在此技術上的一些缺失。

目前，兩家公司在等美國證券交易委員會批準，之后將開始進行整合工作。

4G將帶來極大的市場

3G系統在中國的發展尚不完整，但4G的發展卻極為迅速，并且已經被大量的應用。熊總表示，“在TriQuint看來，4G是才是移動互聯真正的開端。”

現在業界對中國基站的數量說法不一；但總體來說，中國三大運營商每個都有10萬個基站左右的計劃。從這個角度講，未來3年全球將有超過一半的基站在中國產生，這對中國的設備廠商而言將會帶來一個業務增長非常迅速的時期。

熊總表示“中國國內的基站相關業務，從2013年二季度開始就呈現出一個迅猛增長的趨勢，而且在未來半年仍將持續。”跟通信有關的中國設備廠商將在2~3年內迎來一個巨大的發展機遇，尤其是骨干網、4G網絡方面。

3年前，中國骨干網對光通訊是從10G到40G演化，從去年開始從40G向100G演進，由于光通訊是高頻芯片做的驅動，這些都是砷化鎵做的，而下一步將是推進氮化鎵基站的發展。

對于氮化鎵產品，TriQuint已經更新了2~3代產品，目前支持氮化鎵產品的公司包括飛思卡爾等。氮化鎵技術可能是未來3年市場的主要發展方向，其產品最大的特點是高效率、省電、散熱好；另外一個顯著特點是可維持高頻帶寬，能更好地進行數據傳輸。

“但氮化鎵最大的難題在于成本問題。”熊總表示，“現在氮化鎵的原材料主要是以氮化硅為襯底，包括大尺寸（4寸）、生產線在內等都在制約著氮化鎵的成本。”除此之外，還要解決生產產品性能方面的問題，最后就是襯底材料，由于氮化硅比較復雜，所以廠商在選擇時就顯得尤為重要。

同時，熊總談到信號的分層覆蓋模式。利用小基站在城市的樓宇之間進行數據盲點的覆蓋和流量的增強，也將會在骨干網絡的鋪設基本完成后形成一個新的市場方向。

在采訪的最后，熊總表示，“TriQuint有一個愿景，就是在未來5年左右的時間里將氮化鎵工藝的產品應用到手機中。”這將會使4G產業鏈形成一個較為高效且完整的生態系統。

【知識點】

GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SIC、金剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。

它具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質和強的抗輻照能力，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。