美國GT先進技術公司和法國Soitec公司簽署了一項開發和許可協議，允許GT先進技術公司研制大規模、多晶圓的氫化物氣相外延(HVPE)系統，并推動其商用化。

HVPE設備將用來制造高質量的氮化鎵外延層，主要用于發光二極管(LED)和電力電子等高增長行業。

與傳統的金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)工藝相比，HVPE能夠提高生長率和改善材料性能，有望大幅降低制造成本并提高器件性能。按照協議，許可費的預付款已在執行，但具體條款尚未披露。

GT先進技術公司將利用Soitec公司鳳凰實驗室的專有技術，研制HVPE系統，并推動其商用化發展，預計的應用日期為2014年下半年。未來HVPE系統將推動藍寶石襯底氮化鎵的大規模生產。（工業和信息化部電子科學技術情報研究所 胡開博）