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國產第三代半導體量產實現零突破

2014-02-27 來源:微波射頻網 字號:

日前,泰科天潤半導體科技(北京)有限公司研發的第三代半導體碳化硅肖特基二極管等多個產品已經成功量產,產品涵蓋600V-3300V等中高壓范圍。這標志著中國已成為繼美歐日之后實現第三代半導體量產的國家。

國產第三代半導體量產實現零突破

在全球碳化硅市場的發展格局中,歐、美、日搶先一步,早在2003年左右就實現碳化硅功率二極管的商品化。

對于碳化硅行業的整體發展情況,泰科天潤總經理陳彤向記者介紹:“美國是全球碳化硅的老大,所占市場份額最大。英國的主導產品還是硅,碳化硅的發展正在積累中。日本企業比較特殊,從材料做到終端產品,不會單獨賣中間某個配件。”碳化硅功率器件的量產,打破了國外技術壟斷。

隨著綠色經濟的興起,節能降耗已成潮流。據統計,60%-70%的電能是消耗于電力變換和驅動的無功環節,如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。作為最有廣闊發展前景的“一種未來材料”,碳化硅屬于“寬禁帶”的第三代半導體,以此為材料的功率器件具有更低的寄生電阻、更大的電流密度和更快的開關速度,在提高能源利用方面較目前的硅基器件有著無與倫比的優勢,將從本質上提高電力傳送效率和使用效率。可以廣泛應用于航空航天、無線通信和雷達、電力系統、電動汽車、白色家電等領域。

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