作為國(guó)內(nèi)較早投入TD-SCDMA射頻芯片研發(fā)的企業(yè),廣晟微電子在TD-SCDMA射頻芯片研發(fā)上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)。憑借多年的TD-SCDMA射頻芯片開發(fā)經(jīng)驗(yàn),2009年廣晟微電子承擔(dān)“新一代寬帶無線移動(dòng)通信網(wǎng)”國(guó)家科技重大專項(xiàng)“TD-LTE終端射頻芯片研發(fā)”課題的研發(fā)工作。目前,廣晟微電子已經(jīng)成功研發(fā)出符合3GPP Release 8標(biāo)準(zhǔn)的TD-LTE射頻收發(fā)芯片,并在20MHz信號(hào)帶寬的條件下成功將64QAM的TD-LTE信號(hào)解調(diào),詳見附圖:
廣晟微電子所研發(fā)的TD-LTE終端射頻芯片支持TD-SCDMA和TD-LTE/MIMO雙模工作模式,支持4頻段TD-SCDMA工作模式,即1800-1920MHz頻段,2010-2025MHz頻段,2300-2400MHz頻段及2570-2620MHz頻段;同時(shí)還支持雙頻段下的TD-LTE和MIMO工作模式,即2300-2400MHz頻段和2570-2620MHz頻段。在TD-LTE/MIMO工作模式下,支持多個(gè)信號(hào)帶寬:1.4MHz,3MHz,5MHz,10MHz,15MHz和20MHz。芯片接口為JESD207標(biāo)準(zhǔn)的11比特并行接口,便于與世界上大多數(shù)基帶芯片進(jìn)行對(duì)接。
在TD-LTE終端射頻芯片研發(fā)期間,廣晟微電子采用了許多先進(jìn)的設(shè)計(jì)來提高該芯片的性能,如接收機(jī)采用無源混頻器結(jié)構(gòu),在降低功耗的同時(shí)有極大地改善了接收機(jī)前端IIP3和IIP2,縮小了版圖面積。同時(shí)采用了先進(jìn)的高速∑-∆ CT 模數(shù)變換器(ADC,過采樣時(shí)鐘接近1GHz),它與接收機(jī)的無源混頻器直接耦合,刪除了傳統(tǒng)的模擬濾波器,從而改善了由于模擬濾波器引入的群延遲,直流偏移等不良影響,極大地改善了接收機(jī)通道的性能;接收機(jī)還具有快速自動(dòng)AGC,無需基帶干預(yù),即可將接收機(jī)的輸出電平穩(wěn)定調(diào)整到基帶芯片所需的位置;芯片內(nèi)置高性能低噪聲的∑-∆小數(shù)分頻鎖相環(huán)電路,二倍頻的壓控振蕩器覆蓋1800MHz到2620MHz所有頻段的頻率需要;發(fā)射機(jī)通道采用帶有自動(dòng)直流偏移校準(zhǔn)的高速數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC),1dB步進(jìn)80dB動(dòng)態(tài)范圍的發(fā)射機(jī)可變?cè)鲆娣糯笃鳎敵龉β士蛇_(dá)+5dBm同時(shí)具有很低的噪聲,因此發(fā)射機(jī)端口無需SAW濾波器,降低了成本。芯片內(nèi)置各種低功耗、低噪聲的LDO,所以芯片只需1.8V單電源供電,使用非常方便。此外,通過TD-LTE終端射頻芯片研發(fā),廣晟微電子研發(fā)團(tuán)隊(duì)申請(qǐng)了13項(xiàng)發(fā)明專利,在研究成果上取得了一定突破。
從芯片的投片驗(yàn)證來看,廣晟微電子研發(fā)的TD-LTE終端射頻芯片不僅滿足3GPP TD-LTE和國(guó)內(nèi)相關(guān)技術(shù)規(guī)范的要求的三頻TD-LTE和TD-SCDMA雙模要求,還支持雙頻即2300-2400MHz頻段和2570-2620MHz頻段TD-SCDMA和LTE/MIMO功能。目前,芯片各功能測(cè)試進(jìn)展順利,廣晟微電子鎖定“預(yù)商用”,正在向相關(guān)基帶廠商實(shí)施TD-LTE終端射頻芯片推廣工作,為未來TD-LTE的正式商用做好準(zhǔn)備。