| 資料語言： | 簡體中文 |
| 資料類別： | PDF文檔 |
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| 更新時間： | 2012-10-22 14:48:45 |
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某機型的layout 方案
以射頻器件面為layer1 層 射頻 基帶
layer1： 器件 器件
layer2： signal 大部分地址和數據signal、部分模擬線（對應3 層是地）
layer3： GND 部分走線（包括鍵盤面以及2 層走不下的線）、GND
Layer4： 帶狀線 需穿過射頻的基帶模擬控制線(txramp_rf、afc_rf)、音頻線、
基帶主芯片之間的模擬接口線、主時鐘線
Layer5： GND GND
Layer6： 電源層VBAT、LDO_2V8_RF（150mA）、VMEM（150mA）、VEXT（150mA）、VCORE(80
ｍA) 、VABB(50ｍA)、VSIM(20ｍA) 、VVCXO（１０ｍA）
Layer7： signal 鍵盤面的走線
Layer8： 器件 器件
以射頻器件面為layer1 層 射頻 基帶
layer1： 器件 器件
layer2： signal 大部分地址和數據signal、部分模擬線（對應3 層是地）
layer3： GND 部分走線（包括鍵盤面以及2 層走不下的線）、GND
Layer4： 帶狀線 需穿過射頻的基帶模擬控制線(txramp_rf、afc_rf)、音頻線、
基帶主芯片之間的模擬接口線、主時鐘線
Layer5： GND GND
Layer6： 電源層VBAT、LDO_2V8_RF（150mA）、VMEM（150mA）、VEXT（150mA）、VCORE(80
ｍA) 、VABB(50ｍA)、VSIM(20ｍA) 、VVCXO（１０ｍA）
Layer7： signal 鍵盤面的走線
Layer8： 器件 器件
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