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MOSFET(金氧半場效晶體管)器件設計教程

2016-08-15 我要評論(0) 字號:
主題資源: MOSFET  LDMOS  CMOS
資料語言: 簡體中文
資料類別: Office文檔
瀏覽次數: 981
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更新時間: 2016-08-15 09:04:40
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MOSFET(金氧半場效晶體管)器件設計教程

資料簡介

金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

Agenda

一、CMOS

1、器件設計流程
2、器件形成及影響因素
3、短溝MOSFET的考慮

二、HV MOS-LDMOS

1、器件設計流程
2、高壓器件的表征參數
3、高壓器件尺寸和結構設計
4、高壓器件特有的DC效應 

三、Question

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