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SJ 50033.52-1994 半導體分立器件 CS0529型砷化鎵微波功率場效應晶體管詳細規范

2013-01-06 我要評論(0) 字號:
主題資源: 半導體  分立器件
資料語言: 簡體中文
資料類別: PDF文檔
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更新時間: 2013-06-21 16:17:07
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SJ 50033.52-1994 半導體分立器件 CS0529型砷化鎵微波功率場效應晶體管詳細規范

資料簡介

  • 標準編號:SJ 50033.52-1994
  • 標準名稱:半導體分立器件 CS0529型砷化鎵微波功率場效應晶體管詳細規范
  • 行業分類:電子標準(SJ)
  • 中標分類:技術管理(M01)
  • ICS分類:-
  • 標準簡介:本規范規定了CS0529型砷化鎵微波功率場效應(以下簡稱器件)的詳細要求。
  • 英文名稱:Semiconductor discrete device-Detail specification for type CS0529 GaAs microwave power field effect transistor
  • 發布部門:中華人民共和國電子工業部
  • 發布日期:1994-09-30
  • 實施日期:1994-12-01
  • 首發日期:-
  • 提出單位:-
  • 歸口單位:中國電子技術標準化研究所
  • 主管部門:-
  • 起草單位:電子工業部第五十五研究所
  • 起草人:黃玉英、李祖華、王長福
  • 計劃單號:-
  • 頁數:13頁
  • 出版社:中國電子工業出版社
  • 出版日期:1994-12-01

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