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SJ 50033.53-1994 半導(dǎo)體分立器件 CS0530、CS0531型砷化鎵微波功率場效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范

2013-01-06 我要評論(0) 字號:
主題資源: 分立器件
資料語言: 簡體中文
資料類別: PDF文檔
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更新時間: 2013-06-21 16:16:55
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SJ 50033.53-1994 半導(dǎo)體分立器件 CS0530、CS0531型砷化鎵微波功率場效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范

資料簡介

  • 標(biāo)準(zhǔn)編號:SJ 50033.53-1994
  • 標(biāo)準(zhǔn)名稱:半導(dǎo)體分立器件 CS0530、CS0531型砷化鎵微波功率場效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范
  • 行業(yè)分類:電子標(biāo)準(zhǔn)(SJ)
  • 中標(biāo)分類:技術(shù)管理(M01)
  • ICS分類:-
  • 標(biāo)準(zhǔn)簡介:本規(guī)范規(guī)定了CS0530、CS0531型砷化鎵(以下簡稱器件)的詳細(xì)要求。
  • 英文名稱:Semiconductor discrete device-Detail specification for type CS0530 and CS0531 GaAs microwave power field effect transistor
  • 發(fā)布部門:中華人民共和國電子工業(yè)部
  • 發(fā)布日期:1994-09-30
  • 實(shí)施日期:1994-12-01
  • 首發(fā)日期:-
  • 提出單位:-
  • 歸口單位:中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所
  • 主管部門:-
  • 起草單位:電子工業(yè)部第五十五研究所
  • 起草人:黃玉英、李祖華、王長福
  • 計(jì)劃單號:-
  • 頁數(shù):14頁
  • 出版社:中國電子工業(yè)出版社
  • 出版日期:1994-12-01

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