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電子回旋共振等離子體特性及其對生長氮化鎵晶膜的影響

2013-03-19 我要評論(0) 字號:
主題資源: 氮化鎵
資料語言: 簡體中文
資料類別: PDF文檔
瀏覽次數: 166
評論等級:
更新時間: 2013-06-09 10:39:09
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資料簡介

物理學報  1999, Vol. 48  Issue (2): 257-266

朱鶴孫1, 陳廣超2, 江德儀2, 姚鑫茲2, 杜小龍3
(1)北京理工大學,北京 100081; (2)中國科學院物理研究所,北京 100080; (3)中國科學院物理研究所,北京 100080;北京理工大學,北京 100081
PROPERTIES OF ELECTRON CYCLOTRON RESONANCE PLASMAS AND THEIR INFLUENCE ON THE DEPOSITION OF GaN FILMS
ZHU HE-SUN1, CHEN GUANG-CHAO2, JIANG DE-YI2, YAO XIN-ZI2, DU XIAO-LONG3

摘要: 為了解并優化在電子回旋共振等離子體輔助化學汽相沉積GaN晶膜的工藝研究中的等離子體特性,利用朗繆爾探針及法拉第筒系統地測量了離子密度(Ni)、等離子體勢(Vp)、電子溫度(Te)及離子流強(Ji)等多個等離子體參量隨微波功率(Pw)及沉膜室氣壓(p)變化的關系.給出了在Pw=850W,p=0.22Pa時,上述等離子體參量的軸向及徑向分布.GaN晶膜的生長速率、電學及晶體學性能

引用本文:   
杜小龍,陳廣超,江德儀 等 . 電子回旋共振等離子體特性及其對生長氮化鎵晶膜的影響. 物理學報, 1999, 48(2): 266. 
Cite this article:   
DU XIAO-LONG,CHEN GUANG-CHAO,JIANG DE-YI et al. PROPERTIES OF ELECTRON CYCLOTRON RESONANCE PLASMAS AND THEIR INFLUENCE ON THE DEPOSITION OF GaN FILMS. Acta Phys. Sin., 1999, 48(2): 257-266. 

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