資料語言: | 簡體中文 |
資料類別: | PDF文檔 |
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更新時間: | 2013-06-09 10:39:09 |
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物理學(xué)報 1999, Vol. 48 Issue (2): 257-266
朱鶴孫1, 陳廣超2, 江德儀2, 姚鑫茲2, 杜小龍3
(1)北京理工大學(xué),北京 100081; (2)中國科學(xué)院物理研究所,北京 100080; (3)中國科學(xué)院物理研究所,北京 100080;北京理工大學(xué),北京 100081
PROPERTIES OF ELECTRON CYCLOTRON RESONANCE PLASMAS AND THEIR INFLUENCE ON THE DEPOSITION OF GaN FILMS
ZHU HE-SUN1, CHEN GUANG-CHAO2, JIANG DE-YI2, YAO XIN-ZI2, DU XIAO-LONG3
摘要: 為了解并優(yōu)化在電子回旋共振等離子體輔助化學(xué)汽相沉積GaN晶膜的工藝研究中的等離子體特性,利用朗繆爾探針及法拉第筒系統(tǒng)地測量了離子密度(Ni)、等離子體勢(Vp)、電子溫度(Te)及離子流強(Ji)等多個等離子體參量隨微波功率(Pw)及沉膜室氣壓(p)變化的關(guān)系.給出了在Pw=850W,p=0.22Pa時,上述等離子體參量的軸向及徑向分布.GaN晶膜的生長速率、電學(xué)及晶體學(xué)性能
引用本文:
杜小龍,陳廣超,江德儀 等 . 電子回旋共振等離子體特性及其對生長氮化鎵晶膜的影響. 物理學(xué)報, 1999, 48(2): 266.
Cite this article:
DU XIAO-LONG,CHEN GUANG-CHAO,JIANG DE-YI et al. PROPERTIES OF ELECTRON CYCLOTRON RESONANCE PLASMAS AND THEIR INFLUENCE ON THE DEPOSITION OF GaN FILMS. Acta Phys. Sin., 1999, 48(2): 257-266.
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