資料語言: | 簡體中文 |
資料類別: | PDF文檔 |
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更新時間: | 2013-03-12 17:41:05 |
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物理學報 2002, Vol. 51 Issue (6): 1383-1387
真空退火對氟化非晶碳薄膜結構的影響
黃峰, 程珊華, 寧兆元, 楊慎東, 葉超
蘇州大學物理系,蘇州215006
Huang Feng, Cheng Shan-Hua, Ning Zhao-Yuan, Yang Shen-Dong, Ye Chao
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摘要: 在苯(C6H6)和四氟化碳(CF4)混合氣體中,用微波電子回旋共振等離子體化學氣相沉積技術(ECRCVD)在不同功率下制備了氟化非晶碳膜(aC:F),為了檢測膜的熱穩定性對其進行了真空退火處理,測量了退火前后膜厚的變化率,并用傅里葉變換紅外吸收光譜(FTIR)研究了其結構的變化.結果表明,膜厚變化率與沉積功率有關;400℃退火后低功率下沉積的膜的結構變化顯著,高功率下沉積的膜則呈現了較好的熱穩定性.
引用本文:
黃峰,程珊華,寧兆元 等 . 真空退火對氟化非晶碳薄膜結構的影響. 物理學報, 2002, 51(6): 1387.
Cite this article:
Huang Feng,Cheng Shan-Hua,Ning Zhao-Yuan et al. . Acta Phys. Sin., 2002, 51(6): 1383-1387.
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