第1章　引言
1.1　晶體管放大器
1.2　晶體管放大器的早期歷史
1.3　晶體管放大器的優(yōu)點(diǎn)
1.4　晶體管
1.5　放大器的設(shè)計(jì)
1.6　放大器制造技術(shù)
1.7　放大器的應(yīng)用
1.8　放大器的成本
1.9　目前的趨勢
1.10　本書的結(jié)構(gòu)
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第2章　線性網(wǎng)絡(luò)分析
2.1　阻抗矩陣
2.2　導(dǎo)納矩陣
2.3　ABCD參數(shù)
2.4　S參數(shù)
2.4.1　單端口網(wǎng)絡(luò)的S參數(shù)
2.5　雙端口參數(shù)之間的關(guān)系
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習(xí)題

第3章　放大器特性和定義
3.1　帶寬
3.2　功率增益
3.3　輸入和輸出電壓駐波比
3.4　輸出功率
3.5　功率附加效率
3.6　交調(diào)失真
3.6.1　IP3
3.6.2　ACPR
3.6.3　EVM
3.7　諧波功率
3.8　峰均比
3.9　合成器效率
3.10　噪聲特性
3.10.1　噪聲系數(shù)
3.10.2　噪聲溫度
3.10.3　噪聲帶寬
3.10.4　最佳噪聲匹配
3.10.5　等噪聲系數(shù)圓和等增益圓
3.10.6　輸入和噪聲同時匹配
3.11　動態(tài)范圍
3.12　多級放大器特性
3.12.1　多級放大器IP3
3.12.2　多級放大器PAE
3.12.3　多級放大器噪聲系數(shù)
3.13　柵極和漏極的推移因子
3.14　放大器的溫度系數(shù)
3.15　平均失效時間
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習(xí)題

第4章　晶體管
4.1　晶體管類型
4.2　硅雙極型晶體管
4.2.1　關(guān)鍵性能系數(shù)
4.2.2　硅雙極型晶體管的高頻噪聲特性
4.2.3　功率特性
4.3　GaAs MESFET
4.3.1　小信號等效電路
4.3.2　性能系數(shù)
4.3.3　MESFET器件的高頻噪聲特性
4.4　異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管
4.4.1　HEMT器件的高頻噪聲性能
4.4.2　磷化銦pHEMT器件
4.5　異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管
4.5.1　HBT的高頻噪聲特性
4.5.2　SiGe異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管
4.6　MOSFET
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習(xí)題

第5章　晶體管模型
5.1　晶體管模型的類型
5.1.1　基于物理學(xué)/電磁學(xué)理論的模型
5.1.2　解析或混合模型
5.1.3　以測量結(jié)果為基礎(chǔ)的模型
5.2　MESFET模型
5.2.1　線性模型
5.2.2　非線性模型
5.3　pHEMT模型
5.3.1　線性模型
5.3.2　非線性模型
5.4　HBT模型
5.5　MOSFET模型
5.6　BJT模型
5.7　晶體管模型縮放
5.8　源牽引和負(fù)載牽引數(shù)據(jù)
5.8.1　理論負(fù)載牽引數(shù)據(jù)
5.8.2　測試功率和PAE的源牽引和負(fù)載牽引
5.8.3　測試IP3的源和負(fù)載阻抗
5.8.4　源和負(fù)載阻抗尺度變化
5.9　依賴溫度的模型
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習(xí)題

第6章　匹配電路的元件
6.1　阻抗匹配元件
6.2　傳輸線匹配元件
6.2.1　微帶線
6.2.2　共面線
6.3　集總元件
6.3.1　電容
6.3.2　電感
6.3.3　電阻
6.4　鍵合線電感
6.4.1　單線
6.4.2　地平面效應(yīng)
6.4.3　多路線
6.4.4　線允許的最大電流
6.5　寬帶電感
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習(xí)題

第7章　阻抗匹配技術(shù)
7.1　單端口和雙端口網(wǎng)絡(luò)
7.2　窄帶匹配技術(shù)
7.2.1　集總元件匹配技術(shù)
7.2.2　傳輸線匹配技術(shù)
7.3　寬帶匹配技術(shù)
7.3.1　增益-帶寬限制
7.3.2　集總元件寬帶匹配技術(shù)
7.3.3　傳輸線寬帶匹配網(wǎng)絡(luò)
7.3.4　巴倫型寬帶匹配技術(shù)
7.3.5　T形橋式匹配網(wǎng)絡(luò)
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習(xí)題

第8章　放大器分類及分析
8.1　放大器的分類
8.2　A類放大器的分析
8.3　B類放大器的分析
8.3.1　單端式B類放大器
8.3.2　推挽式B類放大器
8.3.3　過激勵B類放大器
8.4　C類放大器的分析
8.5　E類放大器的分析
8.6　F類放大器的分析
8.7　不同種類放大器的比較
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習(xí)題

第9章　放大器設(shè)計(jì)方法
9.1　放大器的設(shè)計(jì)
9.1.1　晶體管類型和制造工藝
9.1.2　晶體管尺寸的選擇
9.1.3　設(shè)計(jì)方法
9.1.4　電路拓?fù)?br />9.1.5　電路分析和優(yōu)化
9.1.6　穩(wěn)定性和熱分析
9.2　放大器設(shè)計(jì)技術(shù)
9.2.1　負(fù)載線法
9.2.2　低損耗匹配設(shè)計(jì)技術(shù)
9.2.3　非線性設(shè)計(jì)方法
9.2.4　Taguchi實(shí)驗(yàn)法
9.3　匹配網(wǎng)絡(luò)
9.3.1　電抗/電阻性的匹配
網(wǎng)絡(luò)
9.3.2　群匹配技術(shù)
9.4　放大器設(shè)計(jì)的例子
9.4.1　低噪放設(shè)計(jì)
9.4.2　最大增益放大器設(shè)計(jì)
9.4.3　功放設(shè)計(jì)
9.4.4　多級驅(qū)動放大器的設(shè)計(jì)
9.4.5　GaAs HBT功放
9.5　基于硅的放大器設(shè)計(jì)
9.5.1　Si IC LNA
9.5.2　Si IC功率放大器
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習(xí)題

第10章　高效率放大器技術(shù)
10.1　高效率設(shè)計(jì)
10.1.1　過驅(qū)動放大器設(shè)計(jì)
10.1.2　B類放大器設(shè)計(jì)
10.1.3　E類放大器設(shè)計(jì)
10.1.4　F類放大器設(shè)計(jì)
10.2　諧波作用放大器
10.3　諧波注入技術(shù)
10.4　諧波控制放大器
10.5　高PAE設(shè)計(jì)考慮
10.5.1　諧波調(diào)節(jié)平臺
10.5.2　匹配網(wǎng)絡(luò)損耗計(jì)算
10.5.3　匹配網(wǎng)絡(luò)損耗的減小
參考文獻(xiàn)
習(xí)題

第11章　寬帶放大器
11.1　晶體管的帶寬限制
11.1.1　晶體管的增益滾降
11.1.2　變化的輸入和輸出阻抗
11.1.3　功率-帶寬積
11.2　寬帶放大技術(shù)
11.2.1　電抗/電阻性拓?fù)?br />11.2.2　反饋放大器
11.2.3　平衡放大器
11.2.4　分布式放大器
11.2.5　有源寬帶匹配技術(shù)
11.2.6　共源共柵結(jié)構(gòu)
11.2.7　寬帶技術(shù)的比較
11.3　寬帶功率放大器設(shè)計(jì)的考慮事項(xiàng)
11.3.1　拓?fù)鋱D的選擇
11.3.2　器件長寬比
11.3.3　低損耗匹配網(wǎng)絡(luò)
11.3.4　增益平坦技術(shù)
11.3.5　諧波終端
11.3.6　熱設(shè)計(jì)
參考文獻(xiàn)
習(xí)題

第12章　線性化技術(shù)
12.1　非線性分析
12.1.1　單音信號分析
12.1.2　雙音信號分析
12.2　相位失真
12.3　功率放大器的線性化技術(shù)
12.3.1　脈沖摻雜器件及匹配
優(yōu)化
12.3.2　預(yù)失真技術(shù)
12.3.3　前饋技術(shù)
12.4　提高線性放大器效率的技術(shù)
12.4.1　反相
12.4.2　Doherty 放大器
12.4.3　包絡(luò)消除與恢復(fù)
12.4.4　自適應(yīng)偏置
12.5　線性放大器的設(shè)計(jì)
12.5.1　放大器增益
12.5.2　減小源和負(fù)載失配
12.6　線性放大器設(shè)計(jì)實(shí)例
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習(xí)題

第13章　高壓功率放大器設(shè)計(jì)
13.1　高壓晶體管性能概述
13.1.1　優(yōu)點(diǎn)
13.1.2　應(yīng)用
13.2　高壓晶體管
13.2.1　Si雙極型晶體管
13.2.2　Si LDMOS晶體管
13.2.3　GaAs場板MESFET
13.2.4　GaAs 場板pHEMT
13.2.5　GaAs HBT
13.2.6　SiC MESFET
13.2.7　SiC GaN HEMT
13.3　高壓放大器設(shè)計(jì)的必要考慮
13.3.1　有源器件的熱設(shè)計(jì)
13.3.2　無源元件的功率處理
13.4　功率放大器設(shè)計(jì)實(shí)例
13.4.1　高壓混合放大器
13.4.2　高壓單片式放大器
13.5　寬帶HV放大器
13.6　串聯(lián)FET放大器
參考文獻(xiàn)
習(xí)題

第14章　混合放大器
14.1　混合放大器技術(shù)
14.2　印制電路板
14.3　混合集成電路
14.3.1　薄膜MIC技術(shù)
14.3.2　厚膜MIC技術(shù)
14.3.3　共燒陶瓷和玻璃——陶瓷技術(shù)
14.4　內(nèi)匹配功率放大器設(shè)計(jì)
14.5　低噪聲放大器
14.5.1　窄帶低噪聲放大器
14.5.2　超寬帶低噪聲放大器
14.5.3　寬帶分布式低噪聲放大器
14.6　功率放大器
14.6.1　窄帶功率放大器
14.6.2　寬帶功率放大器
參考文獻(xiàn)
習(xí)題

第15章　單片放大器
15.1　單片放大器的優(yōu)點(diǎn)
15.2　單片IC技術(shù)
15.2.1　MMIC制作
15.2.2　MMIC基底
15.2.3　MMIC有源器件
15.2.4　MMIC匹配元件
15.3　MMIC設(shè)計(jì)
15.3.1　CAD工具
15.3.2　設(shè)計(jì)流程
15.3.3　EM仿真器
15.4　設(shè)計(jì)實(shí)例
15.4.1　低噪聲放大器
15.4.2　大功率限幅器/LNA
15.4.3　窄帶PA
15.4.4　寬帶PA
15.4.5　超寬帶PA
15.4.6　高功率放大器
15.4.7　高效率PA
15.4.8　毫米波PA
15.4.9　無線功率放大器設(shè)計(jì)實(shí)例
15.5　CMOS制造
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習(xí)題

第16章　熱設(shè)計(jì)
16.1　熱力學(xué)基礎(chǔ)
16.2　晶體管熱設(shè)計(jì)
16.2.1　Cooke 模型
16.2.2　單柵熱模型
16.2.3　多柵熱模型
16.3　放大器熱設(shè)計(jì)
16.4　脈沖工作
16.5　導(dǎo)熱槽設(shè)計(jì)
16.5.1　傳導(dǎo)降溫和強(qiáng)制降溫
16.5.2　設(shè)計(jì)實(shí)例
16.6　熱阻測量
16.6.1　IR成像測量
16.6.2　液晶測量
16.6.3　電氣測量技術(shù)
參考文獻(xiàn)
習(xí)題

第17章　穩(wěn)定性分析
17.1　偶模振蕩
17.1.1　偶模穩(wěn)定性分析
17.1.2　偶模振蕩消除