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《射頻/微波功率新型器件導論》把握新一代射頻/微波功率器件技術路線與發展趨勢，重點開展基于雙層多晶硅新結構的射頻/微波脈沖功率晶體管的研制及其硅化物材料熱穩定性關鍵工藝的研究。
定性分析深槽結構的槽深、槽寬以及槽中填充物對器件BC結擊穿電壓的影響，提出了雙深槽終端新結構，能有效提高器件BC結的反向擊穿能力。利用步內建模法，創新地提出了基于器件的三維熱電耦合模型，比器件的二維熱電耦合模型更準確、更清晰地反映實測器件熱電成像的結溫分布。
摸索出在鎳中分別以夾層方式摻入少量薄層金屬Pt，Mo，W，Zr，Ta來提高鎳硅化物熱的穩定性，以降低器件發射極、基極的電阻值。運用吉布斯自由能理論給出了關于硅化物NiSi熱穩定性得以改善的合理解釋。研制了帶保護環結構并由上述5種夾層金屬形成的NiSi/Si肖特基硅器件。器件良好的I-V電學特性表明，上述5種硅化物是令人滿意的互連和接觸材料。
　　新結構微波功率器件的電學、熱學測試結果表明，該微波功率器件可覆蓋全射頻段，甚至擴展至微波S波段應用，并為開發硅基LDMOS，AlGaN/GaNHEMT新一代微波功率器件奠定了良好的研究基礎。

第一章 引言
1.1 微波功率器件的研究背景
1.2 硅雙極微波功率器件的發展
1.3 國內外研究現狀
1.4 本書內容來源與安排
第二章 雙層多晶硅微波功率管的橫向參數與縱向參數設計
2.1 本章概要
2.2 硅雙極微波功率晶體管的工作原理及主要參數
2.3 器件指標
2.4 器件設計
2.4.1 外延材料的選擇
2.4.2 器件縱向參數設計
2.4.3 器件橫向參數設計
2.5 微波功率器件的版圖設計
2.5.1 器件版圖的結構
2.5.2 覆蓋式與梳狀版圖結構圖形優值比較
2.5.3 光刻掩模版的編號、名稱、次序及最小尺寸
2.5.4 器件的測試結構
2.6 本章小結
第三章 器件特性的模擬分析
3.1 本章概要
3.2 雙層多晶硅微波功率管的電學特性模擬
3.3 提升器件擊穿電壓的槽終端技術
3.3.1 器件槽終端技術的發展
3.3.2 槽深對擊穿電壓的影響
3.3.3 槽寬對擊穿電壓的影響
3.3.4 槽中填充物對擊穿電壓的影響
3.3.5 深槽終端技術與其他終端技術的比較
3.4 功率管多子胞技術
3.4.1 器件的三維熱電耦合模型
3.4.2 器件的發射極布局
3.4.3 結果的分析與討論
3.5 本章小結
第四章 鎳硅化物薄膜的熱穩定性及其應用研究
4.1 本章摘要
4.2 硅化物的發展過程
4.3 NiSi的熱穩定性的研究
4.4 摻Pt，Mo，W，Zr和Ta對NiSi薄膜熱穩定性的改善
4.4.1 摻Pt對NiSi薄膜熱穩定性的改善
4.4.2 摻Mo對NiSi薄膜熱穩定性的改善
4.4.3 摻W對NiSi薄膜熱穩定性的改善
4.4.4 摻Zr對NiSi薄膜熱穩定性的改善
4.4.5 摻Ta對NiSi薄膜熱穩定性的改善
4.5 鎳硅化物熱穩定性的理論研究
4.6 Ni（M）Si/Si肖特基器件的應用研究
4.6.1 Ni（M）Si/Si肖特基器件的設計
4.6.2 肖特基器件的工藝流程
4.6.3 NiSi/Si（Cap Ti）肖特基器件的電學特性
4.6.4 Ni（Pt）Si/Si，Ni（Mo）Si/Si，Ni（W）Si/Si，Ni（Zr）Si/Si和Ni（Ta）Si/Si器件的電學特性研究
4.7 NiSi與Ni（Pt）Si，Ni（Mo）Si，Ni（W）Si，Ni（Zr）Si和Ni（Ta）Si熱穩定性的比較
4.8 本章小結
第五章 關鍵工藝技術的研究
5.1 本章概要
5.2 硅深槽隔離技術研究
5.3 外基區的形成以及側墻發射極的形成
5.3.1 外基區的形成
5.3.2 基區側墻的形成
5.3.3 發射極的形成
5.4 自對準鈷硅化物引線技術
5.5 本章小結
第六章 器件制造流程
6.1 本章概要
6.2 器件的結構特點和工藝特點
6.3 器件的工藝流程
6.4 工藝流片中的注意事項
6.5 本章小結
第七章 微波功率器件的測試與分析
7.1 本章概要
7.2 器件的直流參數測試
7.3 深槽擊穿特性的合格率測試
7.4 器件的熱性能測試
7.5 器件的微波特性測試結果
7.6 本章小結
第八章 射頻/微波功率器件的最新發展
8.1 本章概要
8.2 微波功率器件的主要領域
8.2.1 無線通信領域
8.2.2 軍用電子系統和雷達
8.2.3 醫療電子
8.3 RFLDMOS技術的發展
8.3.1 RFLDMOS的關鍵參數
8.3.2 RFLDMOS的新結構器件
8.4 AlGaN/GaN HEMT毫米波技術
8.4.1 AlGaN/GaN HEMT高電子遷移率器件毫米波功率技術的起源
8.4.2 AlGaN/GaN HEMT高電子遷移率器件毫米波功率技術的發展
8.5 本章小結
參考文獻